UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs

onsemi UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs are high-performance devices that deliver Figures of Merit that lower conduction losses and increase efficiency at higher speeds, improving overall cost-effectiveness. Available in 5.4mΩ to 60mΩ options, the Gen 4 series is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. The standard gate-drive characteristics of the UJ4C/SC 750V FETs allow for "drop-in replacement" functionality. Designers can enhance system performance without changing gate drive voltage by replacing existing Si IGBTs, Si FETs, SiC FETs, or Si super-junction devices with the onsemi UJ4C/SC FETs.

Výsledky: 29
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Styl montáže
Obal / Pouzdro
Polarita tranzistoru
Počet kanálů
Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem
Id – trvalý proud kolektoru
Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem
Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem
Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem
Qg – náboj báze
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Pd – chlazený výkon
Kanálový režim
Způsobilost
Obchodní označení
onsemi MOSFETy SiC 750V/18MOSICFETG4TO263
Technické informace
588Na skladě
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 70
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/18MOSICFETG4TO247
Technické informace
79Na skladě
600Na objednávce
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 30

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/18MOSICFETG4TO247
Technické informace
559Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 20

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/60MOSICFETG4TO247-4
Technické informace
562Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/33MOSICFETG4TO263
Technické informace
486Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/44MOSICFETG4TO263
Technické informace
698Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/5MOSICFETG4TOLL
Technické informace
2 325Na skladě
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 180
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/8MOSICFETG4TOLL
Technické informace
874Na skladě
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 120
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/33MOSICFETG4TOLL
Technické informace
2 815Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/44MOSICFETG4TOLL
Technické informace
2 820Na skladě
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/60MOSICFETG4TOLL
Technické informace
3 279Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 27.8 A 58 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/18MOSICFETG4TOLL
Technické informace
471Na skladě
2 000Očekávané 30.07.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/23MOSICFETG4TOLL
Technické informace
1 265Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/23MOSICFETG4TO247
Technické informace
464Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 30

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/23MOSICFETG4TO247
Technické informace
488Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/33MOSICFETG4TO247
Technické informace
272Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/33MOSICFETG4TO247
Technické informace
334Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 20

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/44MOSICFETG4TO247
Technické informace
447Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 10

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/44MOSICFETG4TO247
Technické informace
1 600Na skladě
1 200Očekávané 15.02.2027 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/60MOSICFETG4TO263
Technické informace
1 310Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/60MOSICFETG4TO247
Technické informace
1 706Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/9MOSICFETG4TO263-
Technické informace
427Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/11MOSICFETG4TO247
Technické informace
1 148Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 60

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/23MOSICFETG4TO263
Technické informace
13Na skladě
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/6MOSICFETG4TO247-
Technické informace
34Na skladě
600Očekávané 18.09.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 10

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET