UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs

onsemi UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs are high-performance devices that deliver Figures of Merit that lower conduction losses and increase efficiency at higher speeds, improving overall cost-effectiveness. Available in 5.4mΩ to 60mΩ options, the Gen 4 series is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. The standard gate-drive characteristics of the UJ4C/SC 750V FETs allow for "drop-in replacement" functionality. Designers can enhance system performance without changing gate drive voltage by replacing existing Si IGBTs, Si FETs, SiC FETs, or Si super-junction devices with the onsemi UJ4C/SC FETs.

Výsledky: 29
Zvolit Obrázek Č. dílu Výr. Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství. Množství RoHS Model ECAD Styl montáže Obal / Pouzdro Počet kanálů Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem Id – trvalý proud kolektoru Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem Qg – náboj báze Minimální provozní teplota Maximální provozní teplota Pd – chlazený výkon Kanálový režim Způsobilost Obchodní označení
onsemi MOSFETy SiC 750V/18MOSICFETG4TO263 285Na skladě
Odstřihnout pás
520,53 Kč
388,67 Kč
336,22 Kč
301,33 Kč
Role
301,33 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/18MOSICFETG4TO247 640Na skladě
297,13 Kč
170,71 Kč
169,22 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/18MOSICFETG4TO247 534Na skladě
508,41 Kč
403,51 Kč
348,83 Kč
330,28 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/60MOSICFETG4TO247-4 560Na skladě
297,13 Kč
210,54 Kč
184,31 Kč
155,37 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/33MOSICFETG4TO263 486Na skladě
Odstřihnout pás
323,60 Kč
189,51 Kč
179,37 Kč
Role
179,37 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/44MOSICFETG4TO263 648Na skladě
Odstřihnout pás
298,61 Kč
170,95 Kč
161,80 Kč
Role
161,80 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/5MOSICFETG4TOLL 1 885Na skladě
Odstřihnout pás
1 085,84 Kč
876,54 Kč
802,32 Kč
Role
802,32 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 2 000
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/8MOSICFETG4TOLL 699Na skladě
Odstřihnout pás
720,92 Kč
526,71 Kč
502,72 Kč
498,51 Kč
Role
498,51 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 2 000
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/18MOSICFETG4TOLL 2 467Na skladě
Odstřihnout pás
488,62 Kč
316,92 Kč
298,86 Kč
283,03 Kč
Role
283,03 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/33MOSICFETG4TOLL 2 815Na skladě
Odstřihnout pás
335,23 Kč
198,41 Kč
187,78 Kč
Role
187,78 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/44MOSICFETG4TOLL 2 525Na skladě
Odstřihnout pás
296,63 Kč
169,47 Kč
160,32 Kč
Role
160,32 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/60MOSICFETG4TOLL 3 256Na skladě
Odstřihnout pás
244,93 Kč
137,06 Kč
131,86 Kč
124,69 Kč
Role
124,69 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 27.8 A 58 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/23MOSICFETG4TOLL 1 266Na skladě
Odstřihnout pás
408,46 Kč
290,94 Kč
256,06 Kč
239,24 Kč
Role
239,24 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 64 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/23MOSICFETG4TO247 326Na skladě
600Očekávané 13.11.2026 .
262,49 Kč
144,73 Kč
136,56 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/23MOSICFETG4TO247 591Na skladě
1 200Očekávané 20.10.2026 .
268,92 Kč
194,46 Kč
162,05 Kč
144,48 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/33MOSICFETG4TO247 249Na skladě
332,51 Kč
188,02 Kč
186,04 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/33MOSICFETG4TO247 298Na skladě
362,19 Kč
205,84 Kč
193,47 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/44MOSICFETG4TO247 445Na skladě
259,52 Kč
143,00 Kč
134,59 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/60MOSICFETG4TO263 1 266Na skladě
Odstřihnout pás
167,49 Kč
90,55 Kč
89,56 Kč
86,34 Kč
Role
86,34 Kč
75,46 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/60MOSICFETG4TO247 1 248Na skladě
307,52 Kč
196,44 Kč
170,95 Kč
153,39 Kč
145,22 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/9MOSICFETG4TO263- 302Na skladě
Odstřihnout pás
712,76 Kč
519,05 Kč
491,58 Kč
Role
491,58 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/11MOSICFETG4TO247 1 027Na skladě
433,44 Kč
314,69 Kč
272,14 Kč
257,54 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/23MOSICFETG4TO263 13Na skladě
Odstřihnout pás
428,74 Kč
274,12 Kč
273,38 Kč
244,68 Kč
Role
244,68 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/44MOSICFETG4TO247 18Na skladě
6 600Na objednávce
330,53 Kč
189,01 Kč
175,65 Kč
174,66 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETy SiC 750V/11MOSICFETG4TO263 287Na skladě
Odstřihnout pás
629,39 Kč
498,51 Kč
464,86 Kč
420,33 Kč
Role
420,33 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7L 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET