MOSFETy SiC – Mouser Česká Republika

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MOSFETy CoolSiC™ 650 V G2

MOSFETy CoolSiC ™ 650 V G2 značky Infineon Technologies využívají výkon karbidu křemíku a tím umožňují nižší energetické ztráty, což znamená vyšší účinnost při převodu výkonu.MOSFETy Infineon CoolSiC 650V G2 poskytují výhody pro různé výkonové polovodičové aplikace, jako je fotovoltaika, skladování energie, nabíjení DC EV, motorové pohony a průmyslové napájecí zdroje. Rychlonabíjecí stanice pro elektrická vozidla vybavená CoolSiC G2 umožňuje až o 10 % nižší ztráty energie než předchozí generace a zároveň umožňuje vyšší nabíjecí kapacitu bez kompromisů co se týče tvaru.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Výsledky: 53

Uplatněné filtry:

Styl montáže

Obal / Pouzdro

Počet kanálů

Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem

Id – trvalý proud kolektoru

Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem

Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem

Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem

Qg – náboj báze

Minimální provozní teplota

Maximální provozní teplota

Pd – chlazený výkon

Kanálový režim

Obchodní označení

Resetovat vše

Hledání ve výsledcích

Na skladě

Běžně skladem

Aktivní

Nové produkty

V souladu RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obrázek	Č. dílu	Výr.	Popis	Technické informace	Dostupnost	Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.	Množství	Styl montáže	Obal / Pouzdro	Počet kanálů	Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem	Id – trvalý proud kolektoru	Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem	Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem	Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem	Qg – náboj báze	Minimální provozní teplota	Maximální provozní teplota	Pd – chlazený výkon	Kanálový režim	Obchodní označení
MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMDQ65R007M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 727,36 Kč 1 490Na skladě Nový produkt	Výr. Č. části IMDQ65R007M2HXUMA1 Č. části Mouser 726-IMDQ65R007M2HXUM Nový produkt	Infineon Technologies	MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET Další informace o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Technické informace	1 490Na skladě	Odstřihnout pás 727,36 Kč 543,29 Kč 526,22 Kč 485,40 Kč Role 485,40 Kč	Minimum: 1 Vícenásobek: 1 : 750	SMD/SMT	HDSOP-22	1 Channel	650 V	196 A	8.5 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	179 nC	- 55 C	+ 175 C	937 W	Enhancement
MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMT65R020M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 320,63 Kč 1 740Na skladě Nový produkt	Výr. Č. části IMT65R020M2HXUMA1 Č. části Mouser 726-IMT65R020M2HXUMA Nový produkt	Infineon Technologies	MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET Další informace o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Technické informace	1 740Na skladě	Odstřihnout pás 320,63 Kč 187,53 Kč 177,14 Kč Role 177,14 Kč	Minimum: 1 Vícenásobek: 1 : 2 000	SMD/SMT	HSOF-8	1 Channel	650 V		24 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	440 W	Enhancement
MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? IMBG65R010M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 525,23 Kč 156Na skladě 1 000Očekávané 23.11.2026 . Nový produkt	Výr. Č. části IMBG65R010M2HXTMA1 Č. části Mouser 726-IMBG65R010M2HXTM Nový produkt	Infineon Technologies	MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? Další informace o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Technické informace	156Na skladě 1 000Očekávané 23.11.2026 .	Odstřihnout pás 525,23 Kč 353,29 Kč 353,04 Kč Role 334,24 Kč	Minimum: 1 Vícenásobek: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	158 A	13.1 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	112 nC	- 55 C	+ 175 C	535 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? IMBG65R026M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 299,11 Kč 708Na skladě Nový produkt	Výr. Č. části IMBG65R026M2HXTMA1 Č. části Mouser 726-IMBG65R026M2HXTM Nový produkt	Infineon Technologies	MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? Další informace o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Technické informace	708Na skladě	Odstřihnout pás 299,11 Kč 171,20 Kč Role 162,05 Kč	Minimum: 1 Vícenásobek: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	68 A	33 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	42 nC	- 55 C	+ 175 C	263 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? IMBG65R033M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 276,84 Kč 280Na skladě Nový produkt	Výr. Č. části IMBG65R033M2HXTMA1 Č. části Mouser 726-IMBG65R033M2HXTM Nový produkt	Infineon Technologies	MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? Další informace o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Technické informace	280Na skladě	Odstřihnout pás 276,84 Kč 166,25 Kč 162,54 Kč 152,65 Kč Role 134,59 Kč	Minimum: 1 Vícenásobek: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	58 A	41 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? IMBG65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 177,63 Kč 416Na skladě Nový produkt	Výr. Č. části IMBG65R060M2HXTMA1 Č. části Mouser 726-IMBG65R060M2HXTM Nový produkt	Infineon Technologies	MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? Další informace o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Technické informace	416Na skladě	Odstřihnout pás 177,63 Kč 101,19 Kč 93,02 Kč 89,06 Kč Role 77,44 Kč	Minimum: 1 Vícenásobek: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	34.9 A	73 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	18 nC	- 55 C	+ 175 C	148 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R075M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 155,12 Kč 788Na skladě Nový produkt	Výr. Č. části IMBG65R075M2HXTMA1 Č. části Mouser 726-IMBG65R075M2HXTM Nový produkt	Infineon Technologies	MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET Další informace o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Technické informace	788Na skladě	Odstřihnout pás 155,12 Kč 82,88 Kč 75,95 Kč 72,24 Kč Role 68,28 Kč	Minimum: 1 Vícenásobek: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	650 V	28 A	95 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	14.9 nC		+ 175 C	124 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMDQ65R015M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 406,23 Kč 741Na skladě Nový produkt	Výr. Č. části IMDQ65R015M2HXUMA1 Č. části Mouser 726-IMDQ65R015M2HXUM Nový produkt	Infineon Technologies	MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET Další informace o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Technické informace	741Na skladě	Odstřihnout pás 406,23 Kč 254,33 Kč 249,38 Kč Role 240,72 Kč	Minimum: 1 Vícenásobek: 1 : 750	SMD/SMT	HDSOP-22	1 Channel	650 V	94 A	18 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	79 nC	- 55 C	+ 175 C	499 W	Enhancement
MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMDQ65R020M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 351,31 Kč 469Na skladě Nový produkt	Výr. Č. části IMDQ65R020M2HXUMA1 Č. části Mouser 726-IMDQ65R020M2HXUM Nový produkt	Infineon Technologies	MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET Další informace o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Technické informace	469Na skladě	Odstřihnout pás 351,31 Kč 211,03 Kč 199,65 Kč Role 199,65 Kč	Minimum: 1 Vícenásobek: 1 : 750	SMD/SMT	HDSOP-22	1 Channel	650 V	97 A	24 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	394 W	Enhancement
MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMLT65R075M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 139,29 Kč 804Na skladě Nový produkt	Výr. Č. části IMLT65R075M2HXTMA1 Č. části Mouser 726-IMLT65R075M2HXTM Nový produkt	Infineon Technologies	MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET Další informace o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Technické informace	804Na skladě	Odstřihnout pás 139,29 Kč 73,73 Kč 67,54 Kč 59,13 Kč Role 59,13 Kč	Minimum: 1 Vícenásobek: 1 : 1 800	SMD/SMT	HDSOP-16	1 Channel	650 V	34.7 A	95 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	14.9 nC	- 55 C	+ 175 C	187 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMT65R033M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 247,89 Kč 2 051Na skladě 2 000Očekávané 03.11.2026 . Nový produkt	Výr. Č. části IMT65R033M2HXUMA1 Č. části Mouser 726-IMT65R033M2HXUMA Nový produkt	Infineon Technologies	MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET Další informace o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Technické informace	2 051Na skladě 2 000Očekávané 03.11.2026 .	Odstřihnout pás 247,89 Kč 138,79 Kč 134,09 Kč 126,92 Kč Role 126,92 Kč	Minimum: 1 Vícenásobek: 1 : 2 000	SMD/SMT	HSOF-8	1 Channel	650 V	68 A	41 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	312 W	Enhancement
MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMT65R060M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 156,85 Kč 2 848Na skladě Nový produkt	Výr. Č. části IMT65R060M2HXUMA1 Č. části Mouser 726-IMT65R060M2HXUMA Nový produkt	Infineon Technologies	MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET Další informace o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Technické informace	2 848Na skladě	Odstřihnout pás 156,85 Kč 105,89 Kč 76,94 Kč 73,23 Kč 68,53 Kč Role 68,53 Kč	Minimum: 1 Vícenásobek: 1 : 2 000	SMD/SMT	HSOF-8	1 Channel	650 V	41.4 A	73 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	208 W	Enhancement
MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMT65R075M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 142,26 Kč 685Na skladě Nový produkt	Výr. Č. části IMT65R075M2HXUMA1 Č. části Mouser 726-IMT65R075M2HXUMA Nový produkt	Infineon Technologies	MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET	Technické informace	685Na skladě	Odstřihnout pás 142,26 Kč 75,70 Kč 69,27 Kč 60,86 Kč Role 60,86 Kč	Minimum: 1 Vícenásobek: 1 : 2 000		TOLL-8		650 V		75 mOhms
MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2 IMTA65R026M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 264,97 Kč 1 958Na skladě Nový produkt	Výr. Č. části IMTA65R026M2HXTMA1 Č. části Mouser 726-IMTA65R026M2HXTM Nový produkt	Infineon Technologies	MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2 Další informace o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Technické informace	1 958Na skladě	Odstřihnout pás 264,97 Kč 179,61 Kč 164,52 Kč 149,68 Kč 144,23 Kč Role 138,79 Kč	Minimum: 1 Vícenásobek: 1 : 2 000	SMD/SMT	PG-LHSOF-4		650 V	79 A	33 mOhms	- 7 V to + 23 V	5.6 V	42 nC	- 55 C	+ 175 C	357 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2 IMTA65R033M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 230,33 Kč 1 658Na skladě Nový produkt	Výr. Č. části IMTA65R033M2HXTMA1 Č. části Mouser 726-IMTA65R033M2HXTM Nový produkt	Infineon Technologies	MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2 Další informace o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Technické informace	1 658Na skladě	Odstřihnout pás 230,33 Kč 128,15 Kč 121,72 Kč 115,04 Kč Role 115,04 Kč	Minimum: 1 Vícenásobek: 1 : 2 000	SMD/SMT	PG-LHSOF-4		650 V	68 A	41 mOhms	- 7 V to + 23 V	5.6 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	315 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMTA65R075M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 132,61 Kč 2 027Na skladě Nový produkt	Výr. Č. části IMTA65R075M2HXTMA1 Č. části Mouser 726-IMTA65R075M2HXTM Nový produkt	Infineon Technologies	MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET Další informace o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Technické informace	2 027Na skladě	Odstřihnout pás 132,61 Kč 70,01 Kč 69,52 Kč 54,68 Kč Role 54,68 Kč	Minimum: 1 Vícenásobek: 1 : 2 000	SMD/SMT	LHSOF-4	1 Channel	650 V	30 A	95 mOhms		5.6 V	14.9 nC	- 55 C	+ 175 C	141 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R075M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 180,11 Kč 476Na skladě Nový produkt	Výr. Č. části IMW65R075M2HXKSA1 Č. části Mouser 726-IMW65R075M2HXKSA Nový produkt	Infineon Technologies	MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET Další informace o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Technické informace	476Na skladě	180,11 Kč 96,49 Kč 88,82 Kč 76,69 Kč	Minimum: 1 Vícenásobek: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	26.6 A	95 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	14.9 nC	- 55 C	+ 175 C	111 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMTA65R020M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 310,49 Kč 10 334Na skladě	Výr. Č. části IMTA65R020M2HXTMA1 Č. části Mouser 726-IMTA65R020M2HXTM	Infineon Technologies	MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET Další informace o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Technické informace	10 334Na skladě	Odstřihnout pás 310,49 Kč 179,86 Kč 169,96 Kč Role 169,96 Kč K dispozici na MouseReel	Minimum: 1 Vícenásobek: 1 : 2 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel			20 mOhms							Enhancement	CoolSiC
MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMDQ65R010M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 556,90 Kč 14Na skladě 3 750Na objednávce Nový produkt	Výr. Č. části IMDQ65R010M2HXUMA1 Č. části Mouser 726-IMDQ65R010M2HXUM Nový produkt	Infineon Technologies	MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET Další informace o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Technické informace	14Na skladě 3 750Na objednávce Data zásilky na objednávku Výr. Č.: IMDQ65R010M2HXUMA1 Na skladě: 14 Lze odeslat ihned Na objednávce: 2 250 Očekávané 26.11.2026 . 1 500 Očekávané 13.05.2027 . Dodací lhůta výrobce 52 týdny/týdnů	Odstřihnout pás 556,90 Kč 438,15 Kč 385,45 Kč 345,62 Kč Role 345,62 Kč K dispozici na MouseReel	Minimum: 1 Vícenásobek: 1 : 750	SMD/SMT	HDSOP-22	1 Channel	650 V	154 A	13.1 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	651 W	Enhancement
MOSFETy SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling IMLT65R026M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 296,14 Kč 21Na skladě 3 600Očekávané 03.06.2027 . Nový produkt	Výr. Č. části IMLT65R026M2HXTMA1 Č. části Mouser 726-IMLT65R026M2HXTM Nový produkt	Infineon Technologies	MOSFETy SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling Další informace o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Technické informace	21Na skladě 3 600Očekávané 03.06.2027 .	Odstřihnout pás 296,14 Kč 191,98 Kč 171,45 Kč 156,85 Kč 146,46 Kč Role 146,46 Kč	Minimum: 1 Vícenásobek: 1 : 1 800	SMD/SMT		1 Channel	650 V	82 A	33 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.6 V	42 nC	- 55 C	+ 175 C	365 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMT65R010M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 508,90 Kč 146Na skladě 2 000Očekávané 08.07.2027 . Nový produkt	Výr. Č. části IMT65R010M2HXUMA1 Č. části Mouser 726-IMT65R010M2HXUMA Nový produkt	Infineon Technologies	MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET Další informace o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Technické informace	146Na skladě 2 000Očekávané 08.07.2027 .	Odstřihnout pás 508,90 Kč 339,19 Kč 338,94 Kč 321,13 Kč Role 321,13 Kč	Minimum: 1 Vícenásobek: 1 : 2 000	SMD/SMT	HSOF-8	1 Channel	650 V	168 A	13.1 mOhms	- 7V, + 23 V	4.5 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	681 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMT65R026M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 302,82 Kč 21Na skladě 2 000Očekávané 29.04.2027 . Nový produkt	Výr. Č. části IMT65R026M2HXUMA1 Č. části Mouser 726-IMT65R026M2HXUMA Nový produkt	Infineon Technologies	MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET Další informace o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Technické informace	21Na skladě 2 000Očekávané 29.04.2027 .	Odstřihnout pás 302,82 Kč 196,93 Kč 176,64 Kč 170,95 Kč Role 152,65 Kč	Minimum: 1 Vícenásobek: 1 : 2 000	SMD/SMT	HSOF-8	1 Channel	650 V	81 A	33 mOhms		5.6 V	42 nC	- 55 C	+ 175 C	365 W	Enhancement
MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMT65R050M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 186,54 Kč 39Na skladě 4 000Očekávané 06.05.2027 . Nový produkt	Výr. Č. části IMT65R050M2HXUMA1 Č. části Mouser 726-IMT65R050M2HXUMA Nový produkt	Infineon Technologies	MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET Další informace o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Technické informace	39Na skladě 4 000Očekávané 06.05.2027 .	Odstřihnout pás 186,54 Kč 101,19 Kč 92,78 Kč 90,55 Kč 85,35 Kč Role 79,91 Kč	Minimum: 1 Vícenásobek: 1 : 2 000	SMD/SMT	HSOF-8	1 Channel	650 V	48.1 A	62 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	237 W	Enhancement
MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R015M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 397,32 Kč 1 064Na skladě	Výr. Č. části IMBG65R015M2HXTMA1 Č. části Mouser 726-IMBG65R015M2HXTM	Infineon Technologies	MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET Další informace o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Technické informace	1 064Na skladě	Odstřihnout pás 397,32 Kč 247,15 Kč Role 234,04 Kč K dispozici na MouseReel	Minimum: 1 Vícenásobek: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	650 V	115 A	18 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	79 nC	- 55 C	+ 175 C	416 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMLT65R020M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 320,38 Kč 1 705Na skladě	Výr. Č. části IMLT65R020M2HXTMA1 Č. části Mouser 726-IMLT65R020M2HXTM	Infineon Technologies	MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET Další informace o Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Technické informace	1 705Na skladě	Odstřihnout pás 320,38 Kč 187,28 Kč 177,14 Kč Role 177,14 Kč	Minimum: 1 Vícenásobek: 1 : 1 800	SMD/SMT	TOLT-16	1 Channel	650 V		20 mOhms							Enhancement	CoolSiC