Všechny výsledky (182)

Zvolit Obrázek Č. dílu Výr. Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství. Množství RoHS
EPC Hradlové budiče Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN 6 459Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 3 000

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN 19 224Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 3 000

EPC Vývojové nástroje k řízení energie IC Half-Bridge Development Board, 100V/35A 14Na skladě
20Očekávané 04.11.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

EPC Vývojové nástroje k řízení energie IC 10 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board 22Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 2 376Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 500

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 1 000Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 000

EPC Vývojové nástroje k řízení energie IC 25 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board 2Na skladě
20Očekávané 04.03.2027 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN 4 002Na skladě
9 000Očekávané 07.01.2027 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 3 000

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm 13 235Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 3 000

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 13 264Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 3 000

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 7 167Na skladě
6 000Očekávané 28.09.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 3 000

EPC Vývojové nástroje k řízení energie IC Half-Bridge Development Board, 200V/30A 21Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

EPC Vývojové nástroje k řízení energie IC Half-Bridge Development Board, 100V/65A 17Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

EPC Vývojové nástroje k řízení energie IC High Power Density, Low Profile, Synchronous Buck and Boost Converter 3Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

EPC Vývojové nástroje k řízení energie IC 48V/54V Input to 12 V, 50 A Dual Phase Synchronous Buck Converter 6Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

EPC Vývojové nástroje k řízení energie IC 40 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board 1Na skladě
20Očekávané 08.01.2027 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25 2 500Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 500

EPC Budiče laserů IC LASER DRVR 80V 15A 1 630Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 500

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 2 801Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 500

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95 4 728Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 000

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6 457Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 500

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA 11 391Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 500

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 5 402Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 3 000

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 7 251Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 500

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4 13 842Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 500