Hradlové budiče Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
EPC23102
EPC
1:
178,72 Kč
4 045 Na skladě
3 000 Očekávané 18.08.2026 .
Nový produkt
Č. části Mouser 65-EPC23102
Nový produkt
EPC
Hradlové budiče Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
4 045 Na skladě
3 000 Očekávané 18.08.2026 .
1
178,72 Kč
10
138,71 Kč
25
128,77 Kč
100
117,61 Kč
250
Zobrazení
3 000
100,64 Kč
250
112,52 Kč
500
109,37 Kč
1 000
106,46 Kč
3 000
100,64 Kč
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Cívka :3 000
Údaje
Vývojové nástroje k řízení energie IC Half-Bridge Development Board, 100V/35A
EPC90147
EPC
1:
4 337,84 Kč
16 Na skladě
Nový produkt
Č. části Mouser 65-EPC90147
Nový produkt
EPC
Vývojové nástroje k řízení energie IC Half-Bridge Development Board, 100V/35A
16 Na skladě
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
EPC2090
EPC
1:
87,06 Kč
2 139 Na skladě
Nový produkt
Č. části Mouser 65-EPC2090
Nový produkt
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
2 139 Na skladě
1
87,06 Kč
10
57,47 Kč
100
40,26 Kč
500
33,71 Kč
2 500
30,56 Kč
5 000
Zobrazení
1 000
32,98 Kč
5 000
29,10 Kč
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Cívka :2 500
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
EPC2091
EPC
1:
202,97 Kč
900 Na skladě
Nový produkt
Č. části Mouser 65-EPC2091
Nový produkt
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
900 Na skladě
1
202,97 Kč
10
139,20 Kč
100
104,52 Kč
500
104,03 Kč
1 000
94,58 Kč
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Cívka :1 000
Údaje
Vývojové nástroje k řízení energie IC 25 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board
EPC9196
EPC
1:
17 622,48 Kč
2 Na skladě
20 Očekávané 04.03.2027 .
Nový produkt
Č. části Mouser 65-EPC9196
Nový produkt
EPC
Vývojové nástroje k řízení energie IC 25 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board
2 Na skladě
20 Očekávané 04.03.2027 .
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Údaje
Hradlové budiče EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
EPC2152
EPC
1:
190,85 Kč
23 Na skladě
Nový produkt
Č. části Mouser 65-EPC2152
Nový produkt
EPC
Hradlové budiče EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
23 Na skladě
1
190,85 Kč
10
148,17 Kč
25
137,74 Kč
100
125,86 Kč
500
116,89 Kč
1 000
Zobrazení
250
121,98 Kč
1 000
112,76 Kč
2 500
110,10 Kč
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Cívka :500
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
EPC2304
EPC
1:
188,67 Kč
7 981 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser 65-EPC2304
Mouser nově nabízí
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
7 981 Na skladě
1
188,67 Kč
10
128,77 Kč
100
94,82 Kč
500
94,33 Kč
1 000
82,45 Kč
3 000
80,03 Kč
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Cívka :3 000
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
EPC2305
EPC
1:
183,82 Kč
14 880 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser 65-EPC2305
Mouser nově nabízí
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
14 880 Na skladě
1
183,82 Kč
10
125,37 Kč
100
92,15 Kč
500
91,18 Kč
1 000
79,78 Kč
3 000
77,36 Kč
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Cívka :3 000
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
EPC2306
EPC
1:
113,73 Kč
11 773 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser 65-EPC2306
Mouser nově nabízí
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
11 773 Na skladě
1
113,73 Kč
10
75,42 Kč
100
54,08 Kč
500
48,02 Kč
1 000
46,32 Kč
3 000
40,74 Kč
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Cívka :3 000
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
EPC2307
EPC
1:
113,73 Kč
14 906 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser 65-EPC2307
Mouser nově nabízí
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
14 906 Na skladě
1
113,73 Kč
10
75,42 Kč
100
54,08 Kč
500
48,02 Kč
1 000
46,08 Kč
3 000
40,74 Kč
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Cívka :3 000
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
EPC2619
EPC
1:
102,09 Kč
11 591 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser 65-EPC2619
Mouser nově nabízí
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
11 591 Na skladě
1
102,09 Kč
10
67,66 Kč
100
48,02 Kč
500
41,47 Kč
2 500
35,41 Kč
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Cívka :2 500
Údaje
Vývojové nástroje k řízení energie IC 10 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board
EPC91118
EPC
1:
8 811,24 Kč
3 Na skladě
Nový produkt
Č. části Mouser 65-EPC91118
Nový produkt
EPC
Vývojové nástroje k řízení energie IC 10 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board
3 Na skladě
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Údaje
Vývojové nástroje k řízení energie IC Half-Bridge Development Board, 200V/30A
EPC90140
EPC
1:
4 337,84 Kč
24 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser 65-EPC90140
Mouser nově nabízí
EPC
Vývojové nástroje k řízení energie IC Half-Bridge Development Board, 200V/30A
24 Na skladě
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Údaje
Vývojové nástroje k řízení energie IC Half-Bridge Development Board, 100V/65A
EPC90156
EPC
1:
4 337,84 Kč
20 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser 65-EPC90156
Mouser nově nabízí
EPC
Vývojové nástroje k řízení energie IC Half-Bridge Development Board, 100V/65A
20 Na skladě
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Údaje
Vývojové nástroje k řízení energie IC High Power Density, Low Profile, Synchronous Buck and Boost Converter
EPC91106
EPC
1:
10 844,60 Kč
3 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser 65-EPC91106
Mouser nově nabízí
EPC
Vývojové nástroje k řízení energie IC High Power Density, Low Profile, Synchronous Buck and Boost Converter
3 Na skladě
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Údaje
Vývojové nástroje k řízení energie IC 48V/54V Input to 12 V, 50 A Dual Phase Synchronous Buck Converter
EPC9158
EPC
1:
10 844,60 Kč
8 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser 65-EPC9158
Mouser nově nabízí
EPC
Vývojové nástroje k řízení energie IC 48V/54V Input to 12 V, 50 A Dual Phase Synchronous Buck Converter
8 Na skladě
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Údaje
Integrované obvody výkonových spínačů - rozvod elektrické energie EPC Bi-directional eGaN Power Switch,100 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.95
EPC2121
EPC
1:
26,19 Kč
1 941 Na skladě
Nový produkt
Č. části Mouser 65-EPC2121
Nový produkt
EPC
Integrované obvody výkonových spínačů - rozvod elektrické energie EPC Bi-directional eGaN Power Switch,100 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.95
1 941 Na skladě
1
26,19 Kč
10
18,96 Kč
25
17,17 Kč
100
15,18 Kč
2 500
12,68 Kč
5 000
Zobrazení
250
14,23 Kč
500
13,65 Kč
1 000
13,07 Kč
5 000
12,39 Kč
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Cívka :2 500
Údaje
Vývojové nástroje k řízení energie IC 40 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board
EPC91200
EPC
1:
17 622,48 Kč
1 Na skladě
20 Očekávané 08.01.2027 .
Nový produkt
Č. části Mouser 65-EPC91200
Nový produkt
EPC
Vývojové nástroje k řízení energie IC 40 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board
1 Na skladě
20 Očekávané 08.01.2027 .
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
EPC2252
EPC
1:
57,47 Kč
11 476 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser 65-EPC2252
Mouser nově nabízí
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
11 476 Na skladě
1
57,47 Kč
10
37,10 Kč
100
25,71 Kč
500
21,07 Kč
2 500
18,48 Kč
5 000
Zobrazení
1 000
19,55 Kč
5 000
16,68 Kč
10 000
16,27 Kč
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Cívka :2 500
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
EPC2361
EPC
1:
189,88 Kč
2 534 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser 65-EPC2361
Mouser nově nabízí
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
2 534 Na skladě
1
189,88 Kč
10
129,74 Kč
100
95,79 Kč
500
95,06 Kč
1 000
83,18 Kč
3 000
80,75 Kč
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Cívka :3 000
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
EPC2059
EPC
1:
98,70 Kč
14 360 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser 65-EPC2059
Mouser nově nabízí
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
14 360 Na skladě
1
98,70 Kč
10
64,99 Kč
100
46,08 Kč
500
39,53 Kč
2 500
33,71 Kč
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Cívka :2 500
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6
EPC2215
EPC
1:
132,16 Kč
10 815 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser 65-EPC2215
Mouser nově nabízí
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6
10 815 Na skladě
1
132,16 Kč
10
88,76 Kč
100
73,72 Kč
1 000
71,78 Kč
2 500
71,78 Kč
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Cívka :2 500
Údaje
Vývojové nástroje k řízení energie IC Half-Bridge Development Board, 150V/25A
EPC90143
EPC
1:
4 337,84 Kč
3 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser 65-EPC90143
Mouser nově nabízí
EPC
Vývojové nástroje k řízení energie IC Half-Bridge Development Board, 150V/25A
3 Na skladě
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Údaje
Vývojové nástroje k řízení energie IC Half-Bridge Development Board, 60V/20A
EPC9038
EPC
1:
4 337,84 Kč
10 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser 65-EPC9038
Mouser nově nabízí
EPC
Vývojové nástroje k řízení energie IC Half-Bridge Development Board, 60V/20A
10 Na skladě
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Údaje
Vývojové nástroje k řízení energie IC Half-Bridge Development Board, 80V/17A
EPC9039
EPC
1:
4 337,84 Kč
10 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser 65-EPC9039
Mouser nově nabízí
EPC
Vývojové nástroje k řízení energie IC Half-Bridge Development Board, 80V/17A
10 Na skladě
Koupit
Minimum: 1 Vícenásobek: 1
Údaje
Česká Republika