Hradlové budiče Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
EPC23102
EPC
1:
182,33 Kč
7 814 Na skladě
Nový produkt
Č. části Mouser
65-EPC23102
Nový produkt
EPC
Hradlové budiče Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
7 814 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
3 000
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
EPC2367
EPC
1:
163,78 Kč
15 789 Na skladě
6 000 Očekávané 20.11.2026 .
Nový produkt
Č. části Mouser
65-EPC2367
Nový produkt
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
15 789 Na skladě
6 000 Očekávané 20.11.2026 .
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
3 000
Údaje
Vývojové nástroje k řízení energie IC 40 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board
EPC91200
EPC
1:
17 978,56 Kč
21 Na skladě
Nový produkt
Č. části Mouser
65-EPC91200
Nový produkt
EPC
Vývojové nástroje k řízení energie IC 40 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board
21 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
Vývojové nástroje k řízení energie IC Half-Bridge Development Board, 100V/35A
EPC90147
EPC
1:
4 425,49 Kč
11 Na skladě
20 Očekávané 04.11.2026 .
Nový produkt
Č. části Mouser
65-EPC90147
Nový produkt
EPC
Vývojové nástroje k řízení energie IC Half-Bridge Development Board, 100V/35A
11 Na skladě
20 Očekávané 04.11.2026 .
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
Vývojové nástroje k řízení energie IC 10 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board
EPC91118
EPC
1:
8 989,28 Kč
22 Na skladě
Nový produkt
Č. části Mouser
65-EPC91118
Nový produkt
EPC
Vývojové nástroje k řízení energie IC 10 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board
22 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
EPC2090
EPC
1:
88,82 Kč
2 374 Na skladě
Nový produkt
Č. části Mouser
65-EPC2090
Nový produkt
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
2 374 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
2 500
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
EPC2091
EPC
1:
207,07 Kč
990 Na skladě
Nový produkt
Č. části Mouser
65-EPC2091
Nový produkt
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
990 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
1 000
Údaje
Hradlové budiče EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
EPC2152
EPC
1:
194,70 Kč
491 Na skladě
2 500 Očekávané 24.12.2026 .
Nový produkt
Č. části Mouser
65-EPC2152
Nový produkt
EPC
Hradlové budiče EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
491 Na skladě
2 500 Očekávané 24.12.2026 .
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
500
Údaje
Vývojové nástroje k řízení energie IC 25 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board
EPC9196
EPC
1:
17 978,56 Kč
10 Na skladě
11 Očekávané 04.03.2027 .
Nový produkt
Č. části Mouser
65-EPC9196
Nový produkt
EPC
Vývojové nástroje k řízení energie IC 25 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board
10 Na skladě
11 Očekávané 04.03.2027 .
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
EPC2305
EPC
1:
187,53 Kč
8 801 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser
65-EPC2305
Mouser nově nabízí
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
8 801 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
3 000
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
EPC2361
EPC
1:
203,86 Kč
11 614 Na skladě
18 000 Očekávané 18.02.2027 .
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser
65-EPC2361
Mouser nově nabízí
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
11 614 Na skladě
18 000 Očekávané 18.02.2027 .
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
3 000
Údaje
Vývojové nástroje k řízení energie IC High Power Density, Low Profile, Synchronous Buck and Boost Converter
EPC91106
EPC
1:
11 063,73 Kč
3 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser
65-EPC91106
Mouser nově nabízí
EPC
Vývojové nástroje k řízení energie IC High Power Density, Low Profile, Synchronous Buck and Boost Converter
3 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
Vývojové nástroje k řízení energie IC 48V/54V Input to 12 V, 50 A Dual Phase Synchronous Buck Converter
EPC9158
EPC
1:
11 063,73 Kč
6 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser
65-EPC9158
Mouser nově nabízí
EPC
Vývojové nástroje k řízení energie IC 48V/54V Input to 12 V, 50 A Dual Phase Synchronous Buck Converter
6 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
EPC2057
EPC
1:
53,19 Kč
9 109 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser
65-EPC2057
Mouser nově nabízí
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
9 109 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
2 500
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
EPC2204A
EPC
1:
87,33 Kč
2 201 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser
65-EPC2204A
Mouser nově nabízí
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
2 201 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
2 500
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
EPC2234
EPC
1:
300,10 Kč
457 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser
65-EPC2234
Mouser nově nabízí
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
457 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
500
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
EPC2252
EPC
1:
58,63 Kč
10 516 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser
65-EPC2252
Mouser nově nabízí
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
10 516 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
2 500
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
EPC2012C
EPC
1:
87,83 Kč
27 777 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser
65-EPC2012C
Mouser nově nabízí
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
27 777 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
2 500
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
EPC2037
EPC
1:
44,78 Kč
26 805 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser
65-EPC2037
Mouser nově nabízí
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
26 805 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
2 500
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
EPC2059
EPC
1:
100,69 Kč
13 728 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser
65-EPC2059
Mouser nově nabízí
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
13 728 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
2 500
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6
EPC2215
EPC
1:
151,16 Kč
9 962 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser
65-EPC2215
Mouser nově nabízí
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6
9 962 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
2 500
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
EPC2306
EPC
1:
116,03 Kč
8 337 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser
65-EPC2306
Mouser nově nabízí
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
8 337 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
3 000
Údaje
Efficient Power Conversion
EPC2029
EPC
1:
242,20 Kč
340 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser
65-EPC2029
Mouser nově nabízí
EPC
Efficient Power Conversion
340 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Vývojové nástroje k řízení energie IC Half-Bridge Development Board, 150V/25A
EPC90143
EPC
1:
4 425,49 Kč
3 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser
65-EPC90143
Mouser nově nabízí
EPC
Vývojové nástroje k řízení energie IC Half-Bridge Development Board, 150V/25A
3 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) eGaN Enhancement Mode Power Transistor
EPC2007C
EPC
1:
70,26 Kč
2 224 Na skladě
Mouser nově nabízí
Č. části Mouser
65-EPC2007C
Mouser nově nabízí
EPC
GaN tranzistory řízené polem (FET) eGaN Enhancement Mode Power Transistor
2 224 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje