GaN Polovodiče

Výsledky: 797
Zvolit Obrázek Č. dílu Výr. Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství. Množství RoHS
STMicroelectronics GaN tranzistory řízené polem (FET) 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor 700Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 3 000

STMicroelectronics GaN tranzistory řízené polem (FET) 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor 700Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 3 000

STMicroelectronics GaN tranzistory řízené polem (FET) 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor 700Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 3 000

STMicroelectronics Hradlové budiče High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 688Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 3 000

Texas Instruments Hradlové budiče 650-V 170/248-m? GaN half-bridge for ACF 275Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 250

Analog Devices Galvanicky izolované hradlové budiče Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V 4 246Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Analog Devices Galvanicky izolované hradlové budiče Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 4.5V 3 621Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 000

Analog Devices Galvanicky izolované hradlové budiče Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V 13 615Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 000

Mini-Circuits VF zesilovač High Power Amplifier, 20 - 500 MHz, 50 Ohm 2Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

MACOM GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt 194Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Nexperia GaN tranzistory řízené polem (FET) SOT8075 650V 17A FET 1 582Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 500

Qorvo VF zesilovač 20 TO 40 GHZ, 8W MMIC PA DOT
10Na skladě
Minimum: 10
Vícenásobek: 10

Qorvo GaN tranzistory řízené polem (FET) DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz 375Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Power Integrations Převodníky AC/DC (stř/ss) 75 W (85-265 VAC) 7 773Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 000

MACOM VF zesilovač 35W GaN MMIC 28V 9 to 10GHz Flange
238Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Nexperia GaN tranzistory řízené polem (FET) SOT8072 100V 60A FET 1 604Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 500

MACOM GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt 680Na skladě
Minimum: 10
Vícenásobek: 10

Nexperia GaN tranzistory řízené polem (FET) SOT8073 150V 28A FET 4 143Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 500

Nexperia GaN tranzistory řízené polem (FET) SOT8074 650V 17A FET 2 036Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 500

Qorvo VF zesilovač 13-15.5GHz SSG>30dB 50W Pout 45.5dBm
34Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

MACOM GaN tranzistory řízené polem (FET) 500W, GaN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHz, PULSED, 20Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
CML Micro VF zesilovač Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers 88Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 10

MACOM GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt 124Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

MACOM VF zesilovač MMIC, GaN HEMT, G28V5, 50W, 5.2-5.9GHz,
28Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 10

Qorvo GaN tranzistory řízené polem (FET) DC-2.7 GHz, 150W, 65V GaN RF Tr 33Na skladě
100Očekávané 11.11.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 50