MOSFETy SiC 750V/18MOSICFETG4TO263
UJ4SC075018B7S
onsemi
1:
484,03 Kč
1 098 Na skladě
Č. části Mouser
431-UJ4SC075018B7S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/18MOSICFETG4TO263
1 098 Na skladě
1
484,03 Kč
10
347,75 Kč
100
318,16 Kč
800
295,37 Kč
2 400
Nabídka
2 400
Nabídka
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
800
Údaje
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
750 V
72 A
18 mOhms
- 20 V, + 20 V
6 V
37.8 nC
- 55 C
+ 175 C
259 W
Enhancement
SiC FET
MOSFETy SiC 750V/18MOSICFETG4TO247
UJ4C075018K4S
onsemi
1:
476,03 Kč
638 Na skladě
Č. části Mouser
431-UJ4C075018K4S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/18MOSICFETG4TO247
638 Na skladě
1
476,03 Kč
10
305,55 Kč
100
302,16 Kč
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
750 V
81 A
23 mOhms
- 20 V, + 20 V
6 V
37.8 nC
- 55 C
+ 175 C
385 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETy SiC 750V/23MOSICFETG4TO263
UJ4C075023B7S
onsemi
1:
403,28 Kč
787 Na skladě
Č. části Mouser
431-UJ4C075023B7S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/23MOSICFETG4TO263
787 Na skladě
1
403,28 Kč
10
287,12 Kč
100
253,41 Kč
800
236,44 Kč
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
800
Údaje
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
750 V
64 A
29 mOhms
- 20 V, + 20 V
6 V
37.8 nC
- 55 C
+ 175 C
278 W
Enhancement
SiC FET
MOSFETy SiC 750V/23MOSICFETG4TO247
UJ4C075023K4S
onsemi
1:
247,84 Kč
812 Na skladě
Č. části Mouser
431-UJ4C075023K4S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/23MOSICFETG4TO247
812 Na skladě
1
247,84 Kč
10
154,23 Kč
100
132,16 Kč
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
750 V
66 A
29 mOhms
- 20 V, + 20 V
6 V
37.8 nC
- 55 C
+ 175 C
306 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETy SiC 750V/33MOSICFETG4TO263
UJ4C075033B7S
onsemi
1:
317,19 Kč
486 Na skladě
Č. části Mouser
431-UJ4C075033B7S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/33MOSICFETG4TO263
486 Na skladě
1
317,19 Kč
10
222,62 Kč
100
185,76 Kč
800
173,63 Kč
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
800
Údaje
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
750 V
44 A
41 mOhms
- 20 V, + 20 V
6 V
37.8 nC
- 55 C
+ 175 C
197 W
Enhancement
SiC FET
MOSFETy SiC 750V/44MOSICFETG4TO263
UJ4C075044B7S
onsemi
1:
292,70 Kč
730 Na skladě
Č. části Mouser
431-UJ4C075044B7S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/44MOSICFETG4TO263
730 Na skladě
1
292,70 Kč
10
204,67 Kč
100
167,57 Kč
500
156,41 Kč
800
156,41 Kč
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
800
Údaje
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
750 V
35.6 A
56 mOhms
- 20 V, + 20 V
6 V
37.8 nC
- 55 C
+ 175 C
181 W
Enhancement
SiC FET
MOSFETy SiC 750V/60MOSICFETG4TO247
UJ4C075060K3S
onsemi
1:
269,66 Kč
1 916 Na skladě
Č. části Mouser
431-UJ4C075060K3S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/60MOSICFETG4TO247
1 916 Na skladě
1
269,66 Kč
10
196,43 Kč
100
154,72 Kč
600
149,38 Kč
1 200
Zobrazení
1 200
139,92 Kč
25 200
Nabídka
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
750 V
28 A
74 mOhms
- 20 V, + 20 V
6 V
37.8 nC
- 55 C
+ 175 C
155 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETy SiC 750V/5MOSICFETG4TOLL
UJ4SC075005L8S
onsemi
1:
994,98 Kč
619 Na skladě
2 000 Očekávané 28.05.2026 .
Č. části Mouser
431-UJ4SC075005L8S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/5MOSICFETG4TOLL
619 Na skladě
2 000 Očekávané 28.05.2026 .
1
994,98 Kč
10
859,18 Kč
100
858,69 Kč
2 000
858,69 Kč
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 180
Cívka :
2 000
Údaje
SMD/SMT
MO-229-8
N-Channel
1 Channel
750 V
120 A
5 mOhms
- 20 V, + 20 V
6 V
164 nC
- 55 C
+ 175 C
1.153 kW
Enhancement
SiC FET
MOSFETy SiC 750V/8MOSICFETG4TOLL
UJ4SC075008L8S
onsemi
1:
706,65 Kč
1 000 Na skladě
Č. části Mouser
431-UJ4SC075008L8S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/8MOSICFETG4TOLL
1 000 Na skladě
1
706,65 Kč
10
520,16 Kč
100
516,28 Kč
2 000
481,85 Kč
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
2 000
Údaje
SMD/SMT
MO-229-8
N-Channel
1 Channel
750 V
106 A
8 mOhms
- 20 V, + 20 V
5.5 V
75 nC
- 55 C
+ 175 C
600 W
Enhancement
SiC FET
MOSFETy SiC 750V/18MOSICFETG4TOLL
UJ4SC075018L8S
onsemi
1:
422,19 Kč
1 288 Na skladě
Č. části Mouser
431-UJ4SC075018L8S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/18MOSICFETG4TOLL
1 288 Na skladě
1
422,19 Kč
10
302,64 Kč
100
292,94 Kč
2 000
282,76 Kč
4 000
Zobrazení
4 000
Nabídka
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
2 000
Údaje
SMD/SMT
MO-229-8
N-Channel
1 Channel
750 V
53 A
18 mOhms
- 20 V, + 20 V
6 V
37.8 nC
- 55 C
+ 175 C
349 W
Enhancement
SiC FET
MOSFETy SiC 750V/33MOSICFETG4TOLL
UJ4C075033L8S
onsemi
1:
328,59 Kč
2 815 Na skladě
Č. části Mouser
772-UJ4C075033L8S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/33MOSICFETG4TOLL
2 815 Na skladě
1
328,59 Kč
10
231,10 Kč
100
194,49 Kč
1 000
181,63 Kč
2 000
181,63 Kč
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
2 000
Údaje
SMD/SMT
MO-229-8
N-Channel
1 Channel
750 V
44 A
33 mOhms
- 20 V, + 20 V
6 V
37.8 nC
- 55 C
+ 175 C
205 W
Enhancement
SiC FET
MOSFETy SiC 750V/44MOSICFETG4TOLL
UJ4C075044L8S
onsemi
1:
290,76 Kč
2 844 Na skladě
Č. části Mouser
772-UJ4C075044L8S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/44MOSICFETG4TOLL
2 844 Na skladě
1
290,76 Kč
10
203,22 Kč
100
166,11 Kč
1 000
155,20 Kč
2 000
155,20 Kč
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
2 000
Údaje
SMD/SMT
MO-229-8
N-Channel
1 Channel
750 V
35.6 A
44 mOhms
- 20 V, + 20 V
6 V
37.8 nC
- 55 C
+ 175 C
181 W
Enhancement
SiC FET
MOSFETy SiC 750V/60MOSICFETG4TOLL
UJ4C075060L8S
onsemi
1:
240,08 Kč
3 272 Na skladě
Č. části Mouser
772-UJ4C075060L8S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/60MOSICFETG4TOLL
3 272 Na skladě
1
240,08 Kč
10
166,11 Kč
100
129,25 Kč
1 000
120,77 Kč
2 000
120,77 Kč
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
2 000
Údaje
SMD/SMT
MO-229-8
N-Channel
1 Channel
750 V
27.8 A
58 mOhms
- 20 V, + 20 V
6 V
37.8 nC
- 55 C
+ 175 C
155 W
Enhancement
SiC FET
MOSFETy SiC 750V/60MOSICFETG4TO263
UJ4C075060B7S
onsemi
1:
164,17 Kč
520 Na skladě
800 Očekávané 20.07.2026 .
Č. části Mouser
431-UJ4C075060B7S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/60MOSICFETG4TO263
520 Na skladě
800 Očekávané 20.07.2026 .
1
164,17 Kč
10
111,07 Kč
100
81,24 Kč
800
73,24 Kč
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
800
Údaje
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
750 V
25.8 A
74 mOhms
- 20 V, + 20 V
6 V
37.8 nC
- 55 C
+ 175 C
128 W
Enhancement
SiC FET
MOSFETy SiC 750V/9MOSICFETG4TO263-
UJ4SC075009B7S
onsemi
1:
653,05 Kč
427 Na skladě
Č. části Mouser
431-UJ4SC075009B7S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/9MOSICFETG4TO263-
427 Na skladě
1
653,05 Kč
10
508,77 Kč
500
475,06 Kč
800
475,06 Kč
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
800
Údaje
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
750 V
106 A
9 mOhms
- 20 V, + 20 V
5.5 V
75 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
SiC FET
MOSFETy SiC 750V/11MOSICFETG4TO263
UJ4SC075011B7S
onsemi
1:
616,92 Kč
297 Na skladě
Č. části Mouser
431-UJ4SC075011B7S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/11MOSICFETG4TO263
297 Na skladě
1
616,92 Kč
10
450,57 Kč
100
449,35 Kč
500
406,19 Kč
800
406,19 Kč
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
800
Údaje
SMD/SMT
D2PAK-7L
N-Channel
1 Channel
750 V
104 A
11 mOhms
- 20 V, + 20 V
5.5 V
75 nC
- 55 C
+ 175 C
357 W
Enhancement
SiC FET
MOSFETy SiC 750V/23MOSICFETG4TOLL
UJ4C075023L8S
onsemi
1:
400,37 Kč
1 270 Na skladě
Č. části Mouser
772-UJ4C075023L8S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/23MOSICFETG4TOLL
1 270 Na skladě
1
400,37 Kč
10
285,18 Kč
100
250,99 Kč
1 000
234,50 Kč
2 000
234,50 Kč
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
2 000
Údaje
SMD/SMT
MO-229-8
N-Channel
1 Channel
750 V
64 A
23 mOhms
- 20 V, + 20 V
6 V
37.8 nC
- 55 C
+ 175 C
278 W
Enhancement
SiC FET
MOSFETy SiC 750V/44MOSICFETG4TO247
UJ4C075044K4S
onsemi
1:
290,27 Kč
2 240 Na skladě
Č. části Mouser
431-UJ4C075044K4S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/44MOSICFETG4TO247
2 240 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
750 V
37.4 A
56 mOhms
- 20 V, + 20 V
6 V
37.8 nC
- 55 C
+ 175 C
203 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETy SiC 750V/23MOSICFETG4TO247
UJ4C075023K3S
onsemi
1:
240,56 Kč
481 Na skladě
Č. části Mouser
431-UJ4C075023K3S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/23MOSICFETG4TO247
481 Na skladě
1
240,56 Kč
10
144,05 Kč
100
132,16 Kč
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
750 V
66 A
29 mOhms
- 20 V, + 20 V
6 V
37.8 nC
- 55 C
+ 175 C
306 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETy SiC 750V/33MOSICFETG4TO247
UJ4C075033K3S
onsemi
1:
318,65 Kč
385 Na skladě
Č. části Mouser
431-UJ4C075033K3S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/33MOSICFETG4TO247
385 Na skladě
1
318,65 Kč
10
199,34 Kč
100
171,69 Kč
600
163,69 Kč
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
750 V
47 A
41 mOhms
- 20 V, + 20 V
6 V
37.8 nC
- 55 C
+ 175 C
242 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETy SiC 750V/33MOSICFETG4TO247
UJ4C075033K4S
onsemi
1:
331,26 Kč
385 Na skladě
Č. části Mouser
431-UJ4C075033K4S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/33MOSICFETG4TO247
385 Na skladě
1
331,26 Kč
10
206,13 Kč
100
177,51 Kč
600
170,24 Kč
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
750 V
47 A
41 mOhms
- 20 V, + 20 V
6 V
37.8 nC
- 55 C
+ 175 C
242 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETy SiC 750V/44MOSICFETG4TO247
UJ4C075044K3S
onsemi
1:
247,84 Kč
441 Na skladě
Č. části Mouser
431-UJ4C075044K3S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/44MOSICFETG4TO247
441 Na skladě
1
247,84 Kč
10
152,29 Kč
100
129,98 Kč
600
118,58 Kč
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
750 V
37.4 A
56 mOhms
- 20 V, + 20 V
6 V
37.8 nC
- 55 C
+ 175 C
203 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETy SiC 750V/60MOSICFETG4TO247-4
UJ4C075060K4S
onsemi
1:
291,24 Kč
562 Na skladě
Č. části Mouser
431-UJ4C075060K4S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/60MOSICFETG4TO247-4
562 Na skladě
1
291,24 Kč
10
206,37 Kč
120
180,66 Kč
510
152,29 Kč
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
750 V
28 A
74 mOhms
- 20 V, + 20 V
6 V
37.8 nC
- 55 C
+ 175 C
155 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETy SiC 750V/11MOSICFETG4TO247
UJ4SC075011K4S
onsemi
1:
416,62 Kč
508 Na skladě
Č. části Mouser
431-UJ4SC075011K4S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/11MOSICFETG4TO247
508 Na skladě
1
416,62 Kč
10
266,02 Kč
100
239,83 Kč
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
750 V
104 A
11 mOhms
- 20 V, + 20 V
5.5 V
75 nC
- 55 C
+ 175 C
357 W
Enhancement
SiC FET
MOSFETy SiC 750V/18MOSICFETG4TO247
UJ4C075018K3S
onsemi
1:
264,81 Kč
151 Na skladě
Č. části Mouser
431-UJ4C075018K3S
onsemi
MOSFETy SiC 750V/18MOSICFETG4TO247
151 Na skladě
1
264,81 Kč
10
160,05 Kč
600
152,05 Kč
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
750 V
81 A
23 mOhms
- 20 V, + 20 V
6 V
37.8 nC
- 55 C
+ 175 C
385 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET