Výsledky: 49
Zvolit Obrázek Č. dílu Výr. Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství. Množství RoHS Model ECAD Technologie Styl montáže Obal / Pouzdro Polarita tranzistoru Počet kanálů Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem Id – trvalý proud kolektoru Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem Qg – náboj báze Minimální provozní teplota Maximální provozní teplota Pd – chlazený výkon Kanálový režim Obchodní označení Balení
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET HIGH POWER_NEW 831Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET HIGH POWER_NEW 1 354Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET HIGH POWER_NEW 3 364Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 153 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 85 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET HIGH POWER_NEW 2 543Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Tranzistory MOSFET HIGH POWER_NEW 3 346Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET HIGH POWER_NEW 828Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET HIGH POWER_NEW 2 000Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Tranzistory MOSFET HIGH POWER_NEW 418Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 183 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET HIGH POWER_NEW 717Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Tranzistory MOSFET HIGH POWER_NEW 270Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET HIGH POWER_NEW 1 468Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 35 nC - 40 C + 150 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET LOW POWER_NEW 2 433Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 360 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 14 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET HIGH POWER_NEW 778Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET HIGH POWER_NEW 1 199Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET HIGH POWER_NEW 1 983Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 178 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET HIGH POWER_NEW 3 816Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET HIGH POWER_NEW 240Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Tranzistory MOSFET HIGH POWER_NEW 191Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET HIGH POWER_NEW 2 490Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET HIGH POWER_NEW 4 310Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET HIGH POWER_NEW 829Na skladě
3 000Očekávané 26.03.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 79 nC - 40 C + 150 C 219 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET HIGH POWER_NEW 1 784Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 66 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 67 nC - 40 C + 150 C 189 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET HIGH POWER_NEW 1 087Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET HIGH POWER_NEW 740Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 52 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 79 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Tranzistory MOSFET HIGH POWER_NEW 450Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 101 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 251 nC - 55 C + 150 C 416 W Enhancement Tube