MOSFETy CoolSiC™ 650 V G2

MOSFETy CoolSiC ™ 650 V G2 značky Infineon Technologies využívají výkon karbidu křemíku a tím umožňují nižší energetické ztráty, což znamená vyšší účinnost při převodu výkonu.MOSFETy Infineon CoolSiC 650V G2 poskytují výhody pro různé výkonové polovodičové aplikace, jako je fotovoltaika, skladování energie, nabíjení DC EV, motorové pohony a průmyslové napájecí zdroje. Rychlonabíjecí stanice pro elektrická vozidla vybavená CoolSiC G2 umožňuje až o 10 % nižší ztráty energie než předchozí generace a zároveň umožňuje vyšší nabíjecí kapacitu bez kompromisů co se týče tvaru.

Výsledky: 53
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Styl montáže
Obal / Pouzdro
Polarita tranzistoru
Počet kanálů
Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem
Id – trvalý proud kolektoru
Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem
Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem
Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem
Qg – náboj báze
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Pd – chlazený výkon
Kanálový režim
Obchodní označení
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
630Na skladě
10 000Na objednávce
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET 869Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 000

TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
813Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
771Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 800

SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
643Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 000

SMD/SMT LHSOF-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
50Na skladě
480Na objednávce
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
218Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
1 002Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
2 918Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Technické informace
256Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 158 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Technické informace
950Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Technické informace
280Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
1 009Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 94 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 499 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
558Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETy SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Technické informace
1 664Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
1 900Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 33 mOhms 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
477Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 48.1 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
1 049Na skladě
2 000Očekávané 25.05.2027 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Technické informace
1 968Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 N-Channel 650 V 79 A 33 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2
Technické informace
1 712Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 N-Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
Technické informace
276Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 130 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Technické informace
416Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 34.9 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 18 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
11Na skladě
2 250Na objednávce
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
Technické informace
69Na skladě
480Očekávané 29.06.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Technické informace
237Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC