MOSFETy CoolSiC™ 650 V G2

MOSFETy CoolSiC ™ 650 V G2 značky Infineon Technologies využívají výkon karbidu křemíku a tím umožňují nižší energetické ztráty, což znamená vyšší účinnost při převodu výkonu.MOSFETy Infineon CoolSiC 650V G2 poskytují výhody pro různé výkonové polovodičové aplikace, jako je fotovoltaika, skladování energie, nabíjení DC EV, motorové pohony a průmyslové napájecí zdroje. Rychlonabíjecí stanice pro elektrická vozidla vybavená CoolSiC G2 umožňuje až o 10 % nižší ztráty energie než předchozí generace a zároveň umožňuje vyšší nabíjecí kapacitu bez kompromisů co se týče tvaru.

Výsledky: 53
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Styl montáže
Obal / Pouzdro
Polarita tranzistoru
Počet kanálů
Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem
Id – trvalý proud kolektoru
Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem
Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem
Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem
Qg – náboj báze
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Pd – chlazený výkon
Kanálový režim
Obchodní označení
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
1 165Na skladě
1 500Na objednávce
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
731Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
725Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 1 800

SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET 800Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 000

TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
737Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 000

SMD/SMT LHSOF-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Technické informace
155Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 N-Channel 650 V 79 A 33 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2
Technické informace
145Na skladě
2 000Očekávané 16.02.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 N-Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
86Na skladě
240Očekávané 09.07.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
218Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
2 073Na skladě
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 15 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
1 914Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
1 992Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 48.1 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
5 088Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
1 845Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
1 868Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
1 756Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
1 899Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Technické informace
282Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
511Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
Technické informace
258Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Technické informace
1 178Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 210 A 8.5 mOhms - 18 V, + 18 V 5.6 V 439 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Technické informace
364Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 158 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Technické informace
980Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Technické informace
285Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Technické informace
456Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 34.9 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 18 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC