Všechny výsledky (137)

Výběrem kategorie níže zobrazíte možnosti filtrování a zúžíte tak vyhledávání.
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS
EPC Hradlové budiče Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
Technické informace
5 840Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 3 000

EPC Vývojové nástroje k řízení energie IC 100 V, 22 A Half-Bridge Development Board Using EPC23102 GaN ePower Stage IC
Technické informace
10Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

EPC Vývojové nástroje k řízení energie IC 15 A Peak 3-Phase Motor Drive Inverter Evaluation Board featuring EPC23104
Technické informace
5Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

EPC Vývojové nástroje k řízení energie IC 35 A Peak 3-Phase Motor Drive Inverter Evaluation Board featuring EPC2304
Technické informace
5Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
Technické informace
1 750Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 500

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
Technické informace
700Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 1 000

EPC Vývojové nástroje k řízení energie IC High Power Density, Low Profile, Synchronous Buck and Boost Converter featuring EPC23104
Technické informace
5Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

EPC Vývojové nástroje k řízení energie IC 40 A Peak 3-Phase Motor Drive Inverter Evaluation Board featuring EPC2305
Technické informace
5Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
Technické informace
5 000Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 500

EPC Integrované obvody výkonových spínačů - rozvod elektrické energie EPC Bi-directional eGaN Power Switch,100 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.95
Technické informace
2 400Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 500

EPC Hradlové budiče EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
Technické informace
2 497Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 500

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
Technické informace
8 900Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 3 000

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Technické informace
14 900Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 3 000

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Technické informace
14 784Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 3 000

EPC Vývojové nástroje k řízení energie IC 150 V, 25 A Half-Bridge Development Board Featuring EPC2305
Technické informace
10Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

EPC Vývojové nástroje k řízení energie IC 100 V, 65 A Half-Bridge Development Board Featuring EPC2361
Technické informace
10Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

EPC Vývojové nástroje k řízení energie IC 48 V/54 V Input to 12 V, 50 A Output Dual-Phase Synchronous Buck Converter Reference Design Board
Technické informace
10Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

EPC Vývojové nástroje k řízení energie IC 2 kW 48 V/14 V, 140 A Bi-directional Power Module Evaluation Board featuring EPC2302
Technické informace
5Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95
Technické informace
2 455Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 500

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3
Technické informace
990Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 1 000

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
Technické informace
4 677Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 1 000

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
Technické informace
12 500Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 500

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Technické informace
6 000Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 3 000

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
Technické informace
1 960Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 500

EPC GaN tranzistory řízené polem (FET) EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
Technické informace
12 470Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 500