GaN tranzistory řízené polem (FET) GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
GAN140-650EBEZ
Nexperia
1:
143,74 Kč
1 730 Na skladě
Č. části Mouser
771-GAN140-650EBEZ
Nexperia
GaN tranzistory řízené polem (FET) GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
1 730 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
2 500
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080-
GAN080-650EBEZ
Nexperia
1:
175,90 Kč
2 087 Na skladě
Č. části Mouser
771-GAN080-650EBEZ
Nexperia
GaN tranzistory řízené polem (FET) GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080-
2 087 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
2 500
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor
QPD0020TR7
Qorvo
1:
1 601,92 Kč
338 Na skladě
Č. části Mouser
772-QPD0020TR7
Qorvo
GaN tranzistory řízené polem (FET) DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor
338 Na skladě
Alternativní balení
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
500
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
TP65H480G4JSGB-TR
Renesas Electronics
1:
46,26 Kč
3 744 Na skladě
Č. části Mouser
227-TP65H480G4JSGBTR
Renesas Electronics
GaN tranzistory řízené polem (FET) 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
3 744 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
4 000
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT
CGHV40180F
MACOM
1:
10 906,38 Kč
265 Na skladě
Č. části Mouser
941-CGHV40180F
MACOM
GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT
265 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
VF zesilovač 13-15.5GHz PAE >32% SSG 29.5dB GaN
TGA2239
Qorvo
10:
23 251,89 Kč
20 Na skladě
Č. části Mouser
772-TGA2239
Qorvo
VF zesilovač 13-15.5GHz PAE >32% SSG 29.5dB GaN
Pro vývoz ze Spojených států může být u tohoto zboží vyžadována další dokumentace.
Poznámky k produktu
20 Na skladě
Koupit
Minimum: 10
Vícenásobek: 10
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
CGHV59350F
MACOM
1:
50 524,28 Kč
11 Na skladě
Č. části Mouser
941-CGHV59350F
MACOM
GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
11 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
TGF2977-SM
Qorvo
1:
1 284,01 Kč
1 377 Na skladě
Č. části Mouser
772-TGF2977-SM
Qorvo
GaN tranzistory řízené polem (FET) 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
1 377 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
VF zesilovač Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers
MGA-444940-02
CML Micro
1:
3 691,46 Kč
88 Na skladě
Č. části Mouser
938-MGA-444940-02
CML Micro
VF zesilovač Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers
88 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
10
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) Amplifier,240W,PULSED,2.1GHz,830140F,GaN
CGH21240F
MACOM
1:
25 081,16 Kč
67 Na skladě
Č. části Mouser
941-CGH21240F
MACOM
GaN tranzistory řízené polem (FET) Amplifier,240W,PULSED,2.1GHz,830140F,GaN
67 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
VF zesilovač MMIC, GaN HEMT,2W, 0.5-3.0GHz, 28V, 3x4
CMPA0530002S
MACOM
1:
2 515,07 Kč
355 Na skladě
Č. části Mouser
941-CMPA0530002S
MACOM
VF zesilovač MMIC, GaN HEMT,2W, 0.5-3.0GHz, 28V, 3x4
355 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
50
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
CGHV1F006S
MACOM
1:
1 922,55 Kč
617 Na skladě
Č. části Mouser
941-CGHV1F006S
MACOM
GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
617 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
250
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) 650V 35MR LGAN TOLL
NTBL035N65GN1TXG
onsemi
1:
337,45 Kč
2 400 Na skladě
Nový produkt
Č. části Mouser
863-NTBL035N65GN1TXG
Nový produkt
onsemi
GaN tranzistory řízené polem (FET) 650V 35MR LGAN TOLL
2 400 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
1 200
Údaje
Galvanicky izolované hradlové budiče Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V
ADUM4221-1BRIZ
Analog Devices
1:
206,58 Kč
4 233 Na skladě
Č. části Mouser
584-ADUM4221-1BRIZ
Analog Devices
Galvanicky izolované hradlové budiče Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V
Poznámky k produktu
4 233 Na skladě
Alternativní balení
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
Galvanicky izolované hradlové budiče Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 4.5V
ADUM4221-1ARIZ-RL
Analog Devices
1:
117,76 Kč
3 620 Na skladě
Č. části Mouser
584-ADUM4221-1ARIZ-R
Analog Devices
Galvanicky izolované hradlové budiče Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 4.5V
Poznámky k produktu
3 620 Na skladě
Alternativní balení
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
1 000
Údaje
Galvanicky izolované hradlové budiče Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V
ADUM4221-1BRIZ-RL
Analog Devices
1:
117,76 Kč
13 551 Na skladě
Č. části Mouser
584-ADUM4221-1BRIZ-R
Analog Devices
Galvanicky izolované hradlové budiče Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V
Poznámky k produktu
13 551 Na skladě
Alternativní balení
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
1 000
Údaje
Hradlové budiče 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
MASTERGAN4LTR
STMicroelectronics
1:
104,65 Kč
1 361 Na skladě
Č. části Mouser
511-MASTERGAN4LTR
STMicroelectronics
Hradlové budiče 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
1 361 Na skladě
Alternativní balení
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
3 000
Údaje
VF zesilovač Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers
MGA-445940-02
CML Micro
1:
5 180,06 Kč
31 Na skladě
Č. části Mouser
938-MGA-445940-02
CML Micro
VF zesilovač Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers
31 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
10
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) DC-3.6GHz GaN 90W 48V
QPD0060
Qorvo
1:
3 702,59 Kč
130 Na skladě
Č. části Mouser
772-QPD0060
Qorvo
GaN tranzistory řízené polem (FET) DC-3.6GHz GaN 90W 48V
130 Na skladě
Alternativní balení
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
100
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
QPD1010
Qorvo
1:
1 618,74 Kč
80 Na skladě
Č. části Mouser
772-QPD1010
Qorvo
GaN tranzistory řízené polem (FET) DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
80 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
MACOM CGHV27030S
CGHV27030S
MACOM
1:
1 765,45 Kč
344 Na skladě
Č. části Mouser
941-CGHV27030S
MACOM
GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
344 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
250
Údaje
Hradlové budiče LOW SIDE DRIVERS
1EDN7116GXTMA1
Infineon Technologies
1:
18,73 Kč
6 770 Na skladě
Č. části Mouser
726-1EDN7116GXTMA1
Infineon Technologies
Hradlové budiče LOW SIDE DRIVERS
6 770 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
4 000
Údaje
Hradlové budiče ISOLATED DRIVER
+3 obrázků
2EDR8258XXUMA1
Infineon Technologies
1:
50,72 Kč
2 569 Na skladě
Č. části Mouser
726-2EDR8258XXUMA1
Infineon Technologies
Hradlové budiče ISOLATED DRIVER
2 569 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
1 500
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
CGH27030S
MACOM
1:
1 999,49 Kč
140 Na skladě
Č. části Mouser
941-CGH27030S
MACOM
GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
140 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
250
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
TP65H070G4LSG-TR
Renesas Electronics
1:
181,10 Kč
2 585 Na skladě
Č. části Mouser
227-TP65H070G4LSG-TR
Renesas Electronics
GaN tranzistory řízené polem (FET) 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
2 585 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
3 000
Údaje