GaN tranzistory řízené polem (FET) GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080-
GAN080-650EBEZ
Nexperia
1:
175,90 Kč
2 158 Na skladě
Č. části Mouser
771-GAN080-650EBEZ
Nexperia
GaN tranzistory řízené polem (FET) GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080-
2 158 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
2 500
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
GAN140-650EBEZ
Nexperia
1:
143,74 Kč
1 730 Na skladě
Č. části Mouser
771-GAN140-650EBEZ
Nexperia
GaN tranzistory řízené polem (FET) GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
1 730 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
2 500
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
CGH40006S
MACOM
1:
1 281,78 Kč
3 143 Na skladě
800 Na objednávce
Č. části Mouser
941-CGH40006S
MACOM
GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
3 143 Na skladě
800 Na objednávce
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
200
Údaje
VF zesilovač 13-15.5GHz PAE >32% SSG 29.5dB GaN
TGA2239
Qorvo
10:
21 819,44 Kč
20 Na skladě
Č. části Mouser
772-TGA2239
Qorvo
VF zesilovač 13-15.5GHz PAE >32% SSG 29.5dB GaN
Pro vývoz ze Spojených států může být u tohoto zboží vyžadována další dokumentace.
Poznámky k produktu
20 Na skladě
Koupit
Minimum: 10
Vícenásobek: 10
Údaje
VF zesilovač 13-15.5GHz SSG>30dB 50W Pout 45.5dBm
TGA2239-CP
Qorvo
1:
33 735,22 Kč
30 Na skladě
Č. části Mouser
772-TGA2239-CP
Qorvo
VF zesilovač 13-15.5GHz SSG>30dB 50W Pout 45.5dBm
Pro vývoz ze Spojených států může být u tohoto zboží vyžadována další dokumentace.
30 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
CGHV59350F
MACOM
1:
50 524,28 Kč
14 Na skladě
Č. části Mouser
941-CGHV59350F
MACOM
GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
14 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
CGHV1F006S
MACOM
1:
1 922,55 Kč
647 Na skladě
Č. části Mouser
941-CGHV1F006S
MACOM
GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
647 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
250
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT
CGHV40180F
MACOM
1:
10 906,38 Kč
265 Na skladě
Č. části Mouser
941-CGHV40180F
MACOM
GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT
265 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
Hradlové budiče 650-V 170/248-m? GaN half-bridge for ACF
LMG2610RRGT
Texas Instruments
1:
329,04 Kč
195 Na skladě
Č. části Mouser
595-LMG2610RRGT
Texas Instruments
Hradlové budiče 650-V 170/248-m? GaN half-bridge for ACF
195 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
250
Údaje
VF zesilovač MMIC, GaN HEMT,2W, 0.5-3.0GHz, 28V, 3x4
CMPA0530002S
MACOM
1:
2 515,07 Kč
355 Na skladě
Č. části Mouser
941-CMPA0530002S
MACOM
VF zesilovač MMIC, GaN HEMT,2W, 0.5-3.0GHz, 28V, 3x4
355 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
50
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
TGF2977-SM
Qorvo
1:
1 283,76 Kč
1 377 Na skladě
Č. části Mouser
772-TGF2977-SM
Qorvo
GaN tranzistory řízené polem (FET) 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
1 377 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
VF zesilovač Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers
MGA-444940-02
CML Micro
1:
3 691,46 Kč
88 Na skladě
Č. části Mouser
938-MGA-444940-02
CML Micro
VF zesilovač Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers
88 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
10
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) Amplifier,240W,PULSED,2.1GHz,830140F,GaN
CGH21240F
MACOM
1:
25 081,16 Kč
67 Na skladě
Č. části Mouser
941-CGH21240F
MACOM
GaN tranzistory řízené polem (FET) Amplifier,240W,PULSED,2.1GHz,830140F,GaN
67 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Galvanicky izolované hradlové budiče Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V
ADUM4221-1BRIZ
Analog Devices
1:
207,57 Kč
4 233 Na skladě
Č. části Mouser
584-ADUM4221-1BRIZ
Analog Devices
Galvanicky izolované hradlové budiče Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V
Poznámky k produktu
4 233 Na skladě
Alternativní balení
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
Galvanicky izolované hradlové budiče Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 4.5V
ADUM4221-1ARIZ-RL
Analog Devices
1:
117,76 Kč
3 620 Na skladě
Č. části Mouser
584-ADUM4221-1ARIZ-R
Analog Devices
Galvanicky izolované hradlové budiče Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 4.5V
Poznámky k produktu
3 620 Na skladě
Alternativní balení
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
1 000
Údaje
Galvanicky izolované hradlové budiče Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V
ADUM4221-1BRIZ-RL
Analog Devices
1:
117,76 Kč
13 551 Na skladě
Č. části Mouser
584-ADUM4221-1BRIZ-R
Analog Devices
Galvanicky izolované hradlové budiče Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V
Poznámky k produktu
13 551 Na skladě
Alternativní balení
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
1 000
Údaje
VF zesilovač Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers
MGA-445940-02
CML Micro
1:
5 180,06 Kč
28 Na skladě
Č. části Mouser
938-MGA-445940-02
CML Micro
VF zesilovač Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers
28 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
10
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) DC-3.6GHz GaN 90W 48V
QPD0060
Qorvo
1:
3 700,86 Kč
130 Na skladě
Č. části Mouser
772-QPD0060
Qorvo
GaN tranzistory řízené polem (FET) DC-3.6GHz GaN 90W 48V
130 Na skladě
Alternativní balení
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
100
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
QPD1010
Qorvo
1:
1 618,00 Kč
82 Na skladě
Č. části Mouser
772-QPD1010
Qorvo
GaN tranzistory řízené polem (FET) DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
82 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
TP65H070G4LSGB-TR
Renesas Electronics
1:
177,88 Kč
2 446 Na skladě
Č. části Mouser
227-TP65H070G4LSGBTR
Renesas Electronics
GaN tranzistory řízené polem (FET) 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
2 446 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
3 000
Údaje
Hradlové budiče 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
MASTERGAN1LTR
STMicroelectronics
1:
135,82 Kč
1 158 Na skladě
Č. části Mouser
511-MASTERGAN1LTR
STMicroelectronics
Hradlové budiče 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
1 158 Na skladě
Alternativní balení
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
3 000
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
MACOM CGHV27030S
CGHV27030S
MACOM
1:
1 765,45 Kč
344 Na skladě
Č. části Mouser
941-CGHV27030S
MACOM
GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
344 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
250
Údaje
Galvanicky izolované hradlové budiče 3.0kVrms 4A/6A dual- channel isolated ga A 595-UCC21222D
UCC21222DR
Texas Instruments
1:
75,21 Kč
2 464 Na skladě
2 500 Očekávané 27.10.2026 .
Č. části Mouser
595-UCC21222DR
Texas Instruments
Galvanicky izolované hradlové budiče 3.0kVrms 4A/6A dual- channel isolated ga A 595-UCC21222D
2 464 Na skladě
2 500 Očekávané 27.10.2026 .
Alternativní balení
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka :
2 500
Údaje
GaN tranzistory řízené polem (FET) DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
T2G6001528-Q3
Qorvo
1:
5 137,01 Kč
123 Na skladě
Č. části Mouser
772-T2G6001528-Q3
Qorvo
GaN tranzistory řízené polem (FET) DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
123 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
VF zesilovač 2-18GHz PAE>20% SSG 22dB GaN
TGA2214
Qorvo
10:
9 632,52 Kč
10 Na skladě
Č. části Mouser
772-TGA2214
Qorvo
VF zesilovač 2-18GHz PAE>20% SSG 22dB GaN
Pro vývoz ze Spojených států může být u tohoto zboží vyžadována další dokumentace.
Poznámky k produktu
10 Na skladě
Koupit
Minimum: 10
Vícenásobek: 10
Údaje