FFSx0865B-F085 650V SiC Schottky Diodes

onsemi FFSx0865B-F085 650V 8A Silicon Carbide Schottky Diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability. onsemi FFSx0865B-F085 SiC Diodes feature temperature-independent switching characteristics, no reverse recovery current, and excellent thermal performance. Additional benefits include the highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, reduced system size, and increased cost-effectiveness. The FFSx0865B-F085 650V, 8A SiC Schottky Diodes are available in a D2PAK-3 package.

Výsledky: 2
Zvolit Obrázek Č. dílu Výr. Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství. Množství RoHS Model ECAD Styl montáže Obal / Pouzdro Konfigurace If – propustný proud Vrrm – opakované závěrné napětí Vf – propustné napětí Ifsm – nárazový propustný proud Ir – závěrný proud Minimální provozní teplota Maximální provozní teplota Vr – závěrné napětí Série Způsobilost Balení
onsemi Schttkyho diody na bázi SiC 650V 8A SIC SBD GEN1.5 855Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-2 Single 8 A 650 V 1.39 V 56 A 500 nA - 55 C + 175 C 650 V FFSB0865B-F085 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Schttkyho diody na bázi SiC 650V 8A SIC SBD GEN1.5 3 929Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 500

SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Single 8 A 650 V 1.39 V 42 A 40 uA - 55 C + 175 C 650 V FFSD0865B-F085 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel