DMTH601xLPSQ N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Inc. DMTH601xLPSQ 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to meet the stringent requirements of automotive applications. DMTH601xLPSQ MOSFETs are qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP (Production Part Approval Process), and are ideal for use in engine management systems, body control electronics, and DC-DC converters. DMTH601xLPSQ MOSFETs offer low RDS(ON), low input capacitance, and fast switching speed. Offered in Diodes Incorporated's unique PowerDI®5060 package, DMTH601xLPSQ MOSFETs are rated to +175ºC and feature an off-board height of <1.1mm. This makes DMTH601xLPSQ MOSFETs well suited for high-temperature environments and low-profile applications.

Výsledky: 2
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Technologie
Styl montáže
Obal / Pouzdro
Polarita tranzistoru
Počet kanálů
Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem
Id – trvalý proud kolektoru
Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem
Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem
Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem
Qg – náboj báze
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Pd – chlazený výkon
Kanálový režim
Způsobilost
Balení
Diodes Incorporated Tranzistory MOSFET 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A
Technické informace
2 062Na skladě
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 13.5 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 41.3 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Tranzistory MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
Technické informace
55Na skladě
5 000Na objednávce
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 310
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 37 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel