Všechny výsledky (11)

Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS
ROHM Semiconductor MOSFETy SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Technické informace
1 075Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

ROHM Semiconductor MOSFETy SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Technické informace
683Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

ROHM Semiconductor MOSFETy SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Technické informace
212Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

ROHM Semiconductor MOSFETy SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Technické informace
84Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
ROHM Semiconductor MOSFETy SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Technické informace
141Na skladě
450Očekávané 08.02.2027 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

ROHM Semiconductor MOSFETy SiC N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Technické informace
412Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
ROHM Semiconductor MOSFETy SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Technické informace
201Na skladě
1 020Na objednávce
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

ROHM Semiconductor MOSFETy SiC N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Technické informace
4 934Na objednávce
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

ROHM Semiconductor MOSFETy SiC 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
Technické informace
2 540Na objednávce
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

ROHM Semiconductor MOSFETy SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Technické informace
1 291Očekávané 05.10.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

ROHM Semiconductor Vývojové nástroje k řízení energie IC Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
Technické informace
Termín dodání, pokud není na skladě 12 týdny/týdnů
Minimum: 1
Vícenásobek: 1