MOSFETy SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
SCT3080KLGC11
ROHM Semiconductor
1:
508,90 Kč
1 034 Na skladě
Č. části Mouser
755-SCT3080KLGC11
ROHM Semiconductor
MOSFETy SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
1 034 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
MOSFETy SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
SCT3030KLGC11
ROHM Semiconductor
1:
1 655,85 Kč
683 Na skladě
Č. části Mouser
755-SCT3030KLGC11
ROHM Semiconductor
MOSFETy SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
683 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
MOSFETy SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
SCT3022ALGC11
ROHM Semiconductor
1:
1 195,19 Kč
198 Na skladě
Č. části Mouser
755-SCT3022ALGC11
ROHM Semiconductor
MOSFETy SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
198 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
MOSFETy SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
SCT3030ALGC11
ROHM Semiconductor
1:
721,17 Kč
84 Na skladě
Č. části Mouser
755-SCT3030ALGC11
ROHM Semiconductor
MOSFETy SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
84 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
MOSFETy SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
SCT3060ALGC11
ROHM Semiconductor
1:
358,73 Kč
1 069 Na skladě
Č. části Mouser
755-SCT3060ALGC11
ROHM Semiconductor
MOSFETy SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
1 069 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
MOSFETy SiC N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
SCT3120ALGC11
ROHM Semiconductor
1:
231,57 Kč
394 Na skladě
Č. části Mouser
755-SCT3120ALGC11
ROHM Semiconductor
MOSFETy SiC N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
394 Na skladě
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
MOSFETy SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
SCT3080ALGC11
ROHM Semiconductor
1:
288,96 Kč
177 Na skladě
900 Očekávané 22.03.2027 .
Č. části Mouser
755-SCT3080ALGC11
ROHM Semiconductor
MOSFETy SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
177 Na skladě
900 Očekávané 22.03.2027 .
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
MOSFETy SiC N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
SCT3160KLGC11
ROHM Semiconductor
1:
263,23 Kč
4 950 Na objednávce
Č. části Mouser
755-SCT3160KLGC11
ROHM Semiconductor
MOSFETy SiC N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
4 950 Na objednávce
Prohlédnout data
Na objednávce:
3 150 Očekávané 21.12.2026 .
1 800 Očekávané 04.01.2027 .
Dodací lhůta výrobce
27 týdny/týdnů
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
MOSFETy SiC 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
SCT2H12NZGC11
ROHM Semiconductor
1:
199,90 Kč
2 220 Na objednávce
Č. části Mouser
755-SCT2H12NZGC11
ROHM Semiconductor
MOSFETy SiC 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
2 220 Na objednávce
Prohlédnout data
Na objednávce:
870 Očekávané 09.11.2026 .
1 350 Očekávané 14.01.2027 .
Dodací lhůta výrobce
23 týdny/týdnů
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
MOSFETy SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
SCT3040KLGC11
ROHM Semiconductor
1:
917,11 Kč
446 Očekávané 08.02.2027 .
Č. části Mouser
755-SCT3040KLGC11
ROHM Semiconductor
MOSFETy SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
446 Očekávané 08.02.2027 .
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje
Vývojové nástroje k řízení energie IC Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
BD7682FJ-LB-EVK-402
ROHM Semiconductor
1:
10 040,23 Kč
Termín dodání, pokud není na skladě 12 týdny/týdnů
Č. části Mouser
755-BD7682FJLBEVK402
ROHM Semiconductor
Vývojové nástroje k řízení energie IC Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
Termín dodání, pokud není na skladě 12 týdny/týdnů
Koupit
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Údaje