RFxDNZ Super Fast Recovery Diodes

ROHM Semiconductor RFxDNZ Super Fast Recovery Diodes are cathode common dual type diodes featuring low forward voltage and low switching loss. These recovery diodes include silicon epitaxial planar type construction. The RFxDNZ recovery diodes are stored at -55°C to 150°C temperature range. These fast recovery diodes operate at 150°C junction temperature and 10μA reverse current. The RFxDNZ super-fast recovery diodes are ideal for use in general rectification.

Výsledky: 5
Zvolit Obrázek Č. dílu Výr. Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství. Množství RoHS Model ECAD Styl montáže Obal / Pouzdro Vr – závěrné napětí If – propustný proud Typ Konfigurace Vf – propustné napětí Max. nárazový proud Ir – závěrný proud Doba obnovy Maximální provozní teplota Balení
ROHM Semiconductor Usměrňovače Super Fast Recovery Diode 641Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-220FN-3 200 V 20 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 100 A 10 uA 30 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Usměrňovače Super Fast Recovery Diode 926Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-220FN-3 200 V 6 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 60 A 10 uA 25 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Usměrňovače Super Fast Recovery Diode 542Na skladě
3 000Na objednávce
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-220FN-3 300 V 20 A Super Fast Recovery Diode Dual 1.3 V 100 A 10 uA 25 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Usměrňovače Super Fast Recovery Diode
1 000Očekávané 27.08.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-220FN-3 200 V 10 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 80 A 10 uA 30 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Usměrňovače Super Fast Recovery Diode Termín dodání, pokud není na skladě 12 týdny/týdnů
Minimum: 1 000
Vícenásobek: 1 000

Through Hole TO-220FN-3 200 V 16 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 100 A 10 uA 30 ns + 150 C Tube