Zdá se, že ve svém prohlížeči máte vypnutý JavaScript. Některé funkce na této stránce nebudou fungovat, dokud se nepřihlásíte.

Zpět na výsledky vyhledávání

Vidíte nějakou chybu?

RQ3N025ATTB1

Name: ROHM Semiconductor RQ3N025ATTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3N025ATTB1
Price: 25.95 CZK
Availability: InStock

Obrázky jsou pouze pro referenční účely
Viz specifikace produktu

Č. Mouser:

755-RQ3N025ATTB1

Výr. Č.:

RQ3N025ATTB1

Výrobce:

ROHM Semiconductor

Popis:

Tranzistory MOSFET Pch -80V -2.5A, HSMT8, Power MOSFET

Životní cyklus:

Nový produkt:

Novinky od tohoto výrobce.

Technické informace:

RQ3N025ATTB1 Technické informace

Model ECAD:

Stáhněte si zdarma Library Loader, kterým převedete tento soubor na formát požadovaný vaším nástrojem ECAD. Více informací o modelu ECAD.

Více informací

Další informace o ROHM Semiconductor RQ3N025ATTB1

Na skladě: 2 320

Na skladě:: 2 320 Lze odeslat ihned

Došlo k neočekávané chybě. Zkuste to prosím znovu později.
Dodací lhůta výrobce: 16 týdny/týdnů Odhadovaná doba výroby v závodě pro větší množství než je zobrazeno.

Zadejte množství:

Minimum: 1 Vícenásobné: 1

Jednotková cena:

-,-- Kč

Rozš. cena:

-,-- Kč

Předp. Clo:

Stanovení ceny (CZK)

Množství	Jednotková cena	Rozš. cena
	25,95 Kč	25,95 Kč
	16,27 Kč	162,70 Kč
	10,72 Kč	1 072,00 Kč
	8,34 Kč	4 170,00 Kč
	7,57 Kč	7 570,00 Kč
Plná/Plné Role (Objednávejte v násobcích 3000)
	6,60 Kč	19 800,00 Kč
	6,11 Kč	36 660,00 Kč
	5,89 Kč	53 010,00 Kč

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Vlastnost produktu	Hodnota vlastnosti	Zvolit atribut
Výrobce:	ROHM Semiconductor
Kategorie produktu:	Tranzistory MOSFET
Technologie:	Si
Styl montáže:	SMD/SMT
Obal / Pouzdro:	HSMT-8
Polarita tranzistoru:	P-Channel
Počet kanálů :	1 Channel
Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem:	80 V
Id – trvalý proud kolektoru:	7 A
Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem:	240 mOhms
Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem:	20 V
Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem:	4 V
Qg – náboj báze:	13 nC
Minimální provozní teplota:	- 55 C
Maximální provozní teplota:	+ 150 C
Pd – chlazený výkon:	14 W
Kanálový režim:	Enhancement
Balení:	Reel
Balení:	Cut Tape
Značka :	ROHM Semiconductor
Konfigurace:	Single
Doba poklesu:	15 ns
Strmost ve vodivém směru, min.:	2.4 S
Typ produktu:	MOSFETs
Doba nárůstu :	6.4 ns
Množství v balení od výrobce:	3000
Podkategorie:	Transistors
Typ tranzistoru:	1 P-Channel
Typický čas prodlení vypnutí :	50 ns
Typická prodleva sepnutí:	8.6 ns

Nalezené produkty:

Chcete-li zobrazit podobné produkty, zaškrtněte alespoň jedno pole

Chcete-li v této kategorii zobrazit podobné produkty, zaškrtněte nahoře alespoň jedno pole.

Vybrané atributy: 0

Filtr dokumentů:

Technické informace

RQ3N025ATTB1 Technické informace

Tato funkce vyžaduje povolení JavaScriptu.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RQxAT P-Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor RQxAT P-Channel features surface mount packaging with low ON resistance and are 100% Rg and UIS tested. These P-channel MOSFETs offer a gate-source voltage of ±20V. The RQ3N025AT and RQ5L030AT MOSFETs feature a maximum drain-source ON resistance of 240mΩ and 99mΩ, respectively. These P-channel MOSFETs are RoHS compliant and halogen-free. The RQ3N025AT and RQ5L030AT MOSFETs offer a drain-source voltage of -80V and -60V, respectively. These P-channel MOSFETs operate within the -55°C to 150°C temperature range. Typical applications include switching and motor drives.