Výsledky: 36
Zvolit Obrázek Č. dílu Výr. Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství. Množství RoHS Model ECAD Technologie Styl montáže Obal / Pouzdro Polarita tranzistoru Počet kanálů Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem Id – trvalý proud kolektoru Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem Qg – náboj báze Minimální provozní teplota Maximální provozní teplota Pd – chlazený výkon Kanálový režim Obchodní označení Balení
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS 4 009Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 82 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 650 Volt 33 Amp 529Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 1 683Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.5 A 430 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5 2 190Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 550 V 13 A 240 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5 504Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V 969Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5 1 225Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18.3 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5 5 856Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 650 V MDMesh 708Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 125 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 431Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 95 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V 739Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 148 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET 701Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.4 A 220 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS 694Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 45 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 483Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-CH 65V 12A MDMESH 8 345Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 279 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5 1 996Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS 338Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 45 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 79 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 650 Volt 33 Amp 536Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5 1 959Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 1 938Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS 350Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A 135Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 130 A 17 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 363 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5 286Na skladě
1 200Očekávané 27.07.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 138 A 15 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 414 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS 141Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 480 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh 229Na skladě
1 000Očekávané 13.04.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.9 A 148 mOhms 30 W MDmesh Tube