MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best RDS(on)*Qg in the industry.

Výsledky: 20
Zvolit Obrázek Č. dílu Výr. Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství. Množství RoHS Model ECAD Technologie Styl montáže Obal / Pouzdro Polarita tranzistoru Počet kanálů Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem Id – trvalý proud kolektoru Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem Qg – náboj báze Minimální provozní teplota Maximální provozní teplota Pd – chlazený výkon Kanálový režim Obchodní označení Balení
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 800 V MDMesh 1 314Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 295 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 70 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Tranzistory MOSFET in D2PAK package 1 854Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 150 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Tranzistory MOSFET in D2PAK package 1 825Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 135 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 36 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 1 567Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 21.5 A 135 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Tranzistory MOSFET in D2PAK package 1 387Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 125 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 45.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV 2 784Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 415 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 13 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package 4 020Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 3.5 A 1.4 Ohms - 25 V, 25 V 3 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 5 133Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 600 V 4.8 A 860 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 10 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 800 V MDMesh 649Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 295 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 65 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 800 V MDMesh 386Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 295 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 65 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package 546Na skladě
1 000Očekávané 29.01.2027 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 34 A 88 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 57 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A 634Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 6.5 A 1.05 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh 1Na skladě
2 000Očekávané 18.06.2027 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package 77Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 71 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 1 140Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 600 V 5.5 A 660 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 8.8 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
2 000Na objednávce
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 260 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 35 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected 400Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5 Termín dodání, pokud není na skladě 24 týdny/týdnů
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET Termín dodání, pokud není na skladě 24 týdny/týdnů
Minimum: 1 000
Vícenásobek: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6.5 A 1.05 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Tranzistory MOSFET in I2PAK package Termín dodání, pokud není na skladě 24 týdny/týdnů
Minimum: 1 000
Vícenásobek: 1 000
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 125 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 45.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube