Výsledky: 5
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Technologie
Obal / Pouzdro
Styl montáže
Konfigurace
Kolektor- napětí emitoru VCEO Max
Saturační napětí kolektor-emitor
Maximální napětí emitoru brány
Spojitý sběrač proudu při 25 C
Pd – chlazený výkon
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Série
Balení

onsemi Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/
Technické informace
1 101Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 80 A 454 W - 55 C + 175 C NGTB40N120FL3 Tube

onsemi Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) 650V FS4 Trench IGBT
Technické informace
438Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 375 W - 55 C + 175 C FGH75T65SQD Tube

onsemi Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
Technické informace
641Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 375 W - 55 C + 175 C FGH75T65SQDT Tube

onsemi Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/
Technické informace
145Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 50 A 349 W - 55 C + 175 C NGTB25N120FL3 Tube

onsemi Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) 650V FS4 Trench IGBT
Technické informace
188Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 100 A 268 W - 55 C + 175 C FGH50T65SQD Tube