Výsledky: 10
Zvolit Obrázek Č. dílu Výr. Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství. Množství RoHS Model ECAD Technologie Styl montáže Obal / Pouzdro Polarita tranzistoru Počet kanálů Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem Id – trvalý proud kolektoru Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem Qg – náboj báze Minimální provozní teplota Maximální provozní teplota Pd – chlazený výkon Kanálový režim Obchodní označení Balení
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET IFX FET 40V 8 918Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance 3 500Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 166 A 2.05 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET IFX FET 40V 12 971Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET IFX FET 40V 5 806Na skladě
70 000Na objednávce
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 59 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET IFX FET 40V 11 080Na skladě
20 000Očekávané 28.01.2027 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET IFX FET 40V 55Na skladě
40 000Očekávané 28.01.2027 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 381 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 94 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET IFX FET 40V
133 692Na objednávce
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 28 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET IFX FET 40V
179 766Na objednávce
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET IFX FET 40V
13 336Očekávané 11.02.2027 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Tranzistory MOSFET OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance
6 000Očekávané 05.06.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 6 000

Si SMD/SMT WTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 166 A 2.05 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape