Zdá se, že ve svém prohlížeči máte vypnutý JavaScript. Některé funkce na této stránce nebudou fungovat, dokud se nepřihlásíte.

Zpět na výsledky vyhledávání

Vidíte nějakou chybu?

NVBLS1D7N10MCTXG

Name: onsemi NVBLS1D7N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBLS1D7N10MCTXG
Price: 145.02 CZK
Availability: InStock

Obrázky jsou pouze pro referenční účely
Viz specifikace produktu

Č. Mouser:

863-NVBLS1D7N10MCTXG

Výr. Č.:

NVBLS1D7N10MCTXG

Výrobce:

onsemi

Popis:

Tranzistory MOSFET PTNG 100V STD TOLL

Technické informace:

NVBLS1D7N10MCTXG Technické informace

Model ECAD:

Stáhněte si zdarma Library Loader, kterým převedete tento soubor na formát požadovaný vaším nástrojem ECAD. Více informací o modelu ECAD.

Více informací

Další informace o onsemi NVBLS1D7N10MCTXG

Na skladě: 1 737

Na skladě:: 1 737 Lze odeslat ihned

Došlo k neočekávané chybě. Zkuste to prosím znovu později.
Dodací lhůta výrobce: 17 týdny/týdnů Odhadovaná doba výroby v závodě pro větší množství než je zobrazeno.

Zadejte množství:

Minimum: 1 Vícenásobné: 1

Jednotková cena:

-,-- Kč

Rozš. cena:

-,-- Kč

Předp. Clo:

Stanovení ceny (CZK)

Množství	Jednotková cena	Rozš. cena
	145,02 Kč	145,02 Kč
	100,64 Kč	1 006,40 Kč
	75,18 Kč	7 518,00 Kč
	74,93 Kč	74 930,00 Kč
Plná/Plné Role (Objednávejte v násobcích 2000)
	64,02 Kč	128 040,00 Kč

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Vlastnost produktu	Hodnota vlastnosti	Zvolit atribut
Výrobce:	onsemi
Kategorie produktu:	Tranzistory MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Styl montáže:	SMD/SMT
Obal / Pouzdro:	H-PSOF-8
Polarita tranzistoru:	N-Channel
Počet kanálů :	1 Channel
Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem:	100 V
Id – trvalý proud kolektoru:	265 A
Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem:	1.8 mOhms
Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem:	4 V
Qg – náboj báze:	115 nC
Minimální provozní teplota:	- 55 C
Maximální provozní teplota:	+ 175 C
Pd – chlazený výkon:	303 W
Kanálový režim:	Enhancement
Obchodní označení:	PowerTrench
Balení:	Reel
Balení:	Cut Tape
Značka :	onsemi
Konfigurace:	Single
Doba poklesu:	31 ns
Strmost ve vodivém směru, min.:	220 S
Typ produktu:	MOSFETs
Doba nárůstu :	38 ns
Série:	NVBLS1D7N10MC
Množství v balení od výrobce:	2000
Podkategorie:	Transistors
Typ tranzistoru:	1 N-Channel
Typický čas prodlení vypnutí :	76 ns
Typická prodleva sepnutí:	48 ns

Nalezené produkty:

Chcete-li zobrazit podobné produkty, zaškrtněte alespoň jedno pole

Chcete-li v této kategorii zobrazit podobné produkty, zaškrtněte nahoře alespoň jedno pole.

Vybrané atributy: 0

Filtr dokumentů:

Technické informace

NVBLS1D7N10MCTXG Technické informace

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290040
ECCN:: EAR99

NVBLS1D7N10MCTXG N-Channel PowerTrench® MOSFET

onsemi NVBLS1D7N10MCTXG N-Channel PowerTrench^® MOSFET supplies a high thermal performance and low R_DS(on) to minimize conduction losses. The NVBLS1D7N10MCTXG is AEC-Q101 qualified and PPAP capable, ideal for automotive applications.