STGAP2SiCD Galvanically Isolated Dual Gate Driver

STMicroelectronics STGAP2SiCD Galvanically Isolated 4A Dual Gate Driver is designed for galvanic isolation between each gate driving channel and the low voltage control and interface circuitry. The STGAP2SiCD gate driver is defined by 4A current capability and rail-to-rail outputs, ideal for mid and high power applications such as power conversion and industrial motor drivers inverters.

Výsledky: 3
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Série
Styl montáže
Obal / Pouzdro
Izolační napětí
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Zpoždění průchodu signálu – max.
Doba nárůstu
Doba poklesu
Balení
STMicroelectronics Galvanicky izolované hradlové budiče Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
Technické informace
1 665Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

STGAP2SICS SMD/SMT SO-8W 5 kV - 40 C + 125 C 90 ns 30 ns 30 ns Tube
STMicroelectronics Galvanicky izolované hradlové budiče Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
Technické informace
1 500Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

STGAP2SICS SMD/SMT SO-8W 5 kV - 40 C + 125 C 90 ns 30 ns 30 ns Tube
STMicroelectronics Galvanicky izolované hradlové budiče Galvanically isolated 4 A dual gate driver
Technické informace
767Na skladě
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 000

SMD/SMT SO-36W 5 kV - 40 C + 150 C 90 ns 30 ns 30 ns Reel, Cut Tape, MouseReel