IGBT XPT Gen5

IXYS Gen5 XPT IGBTs offer a rated voltage of 650V, a current range of 35A to 220A, and a low gate charge. These transistors feature a low thermal resistance that simplifies thermal-related design issues. Gen5 IGBTs are available in three classes. Class A transistors are for low-speed devices and optimized for applications that require switching frequencies in the 0 to 5kHz range, while Class B transistors are for medium-speed devices and optimized for applications that require a frequency range of 5kHz to 30kHz. Finally, the Class C transistors are designed for high-speed devices and are suitable for applications requiring switching frequencies in the range of 20kHz to 60kHz. Applications for IXYS Gen5 XPT IGBTs include power inverters, PFC circuits, lamp ballasts, battery chargers, and welding machines.

Výsledky: 18
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Technologie
Obal / Pouzdro
Styl montáže
Konfigurace
Kolektor- napětí emitoru VCEO Max
Saturační napětí kolektor-emitor
Maximální napětí emitoru brány
Spojitý sběrač proudu při 25 C
Pd – chlazený výkon
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Série
Balení
IXYS Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
Technické informace
78Na skladě
300Očekávané 10.08.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.68 V 20 V 230 A 750 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
Technické informace
85Na skladě
300Očekávané 27.07.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-263AB-2 SMD/SMT Single 650 V 1.67 V 20 V 110 A 650 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-220
Technické informace
400Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-220-3L Through Hole Single 650 V 1.27 V 20 V 130 A 326 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
Technické informace
300Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-263-2L SMD/SMT Single 650 V 1.27 V 20 V 130 A 326 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
Technické informace
80Na skladě
300Očekávané 27.07.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-263-2L SMD/SMT Single 650 V 1.3 V 20 V 122 A 395 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT in SOT-227
Technické informace
664Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 1.15 V 20 V 510 A 1.2 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT in PLUS247
Technické informace
603Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 510 A 1.61 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-264
Technické informace
359Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.2 V 20 V 400 A 1.15 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-264
Technické informace
400Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 510 A 1.61 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in SOT-227
Technické informace
395Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 1.2 V 20 V 340 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) 650V, 200A, XPT Gen5 B5 IGBT in SOT-227
Technické informace
396Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 1.2 V 20 V 390 A 1.2 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) 650V, 120A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-268HV
Technické informace
328Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 650 V 1.3 V 20 V 290 A 830 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) 650V, 90A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-268HV
Technické informace
348Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 650 V 1.22 V 20 V 220 A 650 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in PLUS247
Technické informace
399Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.2 V 20 V 400 A 1.15 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) 650V, 200A, XPT Gen5 B5 IGBT in PLUS247
Technické informace
685Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 650 V 1.2 V 20 V 470 A 1.61 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
Technické informace
240Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-263-2 SMD/SMT Single 650 V 650 V 20 V 134 A 395 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-247AD
Technické informace
281Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.23 V 20 V 134 A 395 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) 650V, 35A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-220
Technické informace
300Očekávané 27.04.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-220-3L Through Hole Single 650 V 1.7 V 20 V 90 A 326 W - 55 C + 175 C Trench Tube