SiC C3M MOSFETs

Wolfspeed SiC C3M MOSFETs enable higher switching frequencies and reduce inductor, capacitor, filter, and transformer component sizes. The Wolfspeed SiC C3M MOSFETs have higher system efficiency and reduced cooling requirements. The MOSFETs also increase power density and system switching frequency.

Výsledky: 4
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Styl montáže
Obal / Pouzdro
Počet kanálů
Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem
Id – trvalý proud kolektoru
Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem
Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem
Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem
Qg – náboj báze
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Pd – chlazený výkon
Kanálový režim
Wolfspeed MOSFETy SiC 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Technické informace
430Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 114 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETy SiC 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Technické informace
695Očekávané 12.10.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETy SiC 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Technické informace
760Očekávané 19.10.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 118 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETy SiC SiC, MOSFET, 60 m, 650V, TO-247-4, Industrial
Technické informace
320Očekávané 02.10.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 37 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement