High-Speed IGBT4 Power Modules

Microchip Technology High-Speed IGBT4 Power Modules feature low voltage drop, low leakage current, and low switching losses. These modules operate at 1200V collector-emitter voltage (VCES) and provide very low stray inductance, Kelvin emitter/source for an easy drive, and extended temperature range. The benefits of IGBT4 modules are high-efficiency converters, offer outstanding performance at high-frequency operation, low profile, and low junction-to-heatsink thermal resistance. These modules are used in applications like high-reliability power systems, AC switches, high-efficiency AC/DC and DC/AC converters, and motor control.

Výsledky: 7
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Výrobek
Konfigurace
Kolektor- napětí emitoru VCEO Max
Saturační napětí kolektor-emitor
Spojitý sběrač proudu při 25 C
Svodový proud brána-emitor
Pd – chlazený výkon
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Styl montáže
Technologie
Microchip Technology Moduly IGBT PM-IGBT-SBD-BL3
Technické informace
4Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
Microchip Technology Moduly IGBT PM-IGBT-SBD-BL3
Technické informace
9Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
Microchip Technology Moduly IGBT PM-IGBT-SBD-BL1
Technické informace
4Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
IGBT Modules Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
Microchip Technology Moduly IGBT PM-IGBT-SBD-BL1
Technické informace
9Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
Microchip Technology Moduly IGBT PM-IGBT-SBD-BL2
Technické informace
7Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
IGBT Modules Asymmetrical Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
Microchip Technology Moduly IGBT PM-IGBT-SBD-BL2
Technické informace
6Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
Microchip Technology Moduly IGBT PM-IGBT-SBD-BL2
Technické informace
3Očekávané 19.10.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si