High-Speed IGBT4 Power Modules

Microchip Technology High-Speed IGBT4 Power Modules feature low voltage drop, low leakage current, and low switching losses. These modules operate at 1200V collector-emitter voltage (VCES) and provide very low stray inductance, Kelvin emitter/source for an easy drive, and extended temperature range. The benefits of IGBT4 modules are high-efficiency converters, offer outstanding performance at high-frequency operation, low profile, and low junction-to-heatsink thermal resistance. These modules are used in applications like high-reliability power systems, AC switches, high-efficiency AC/DC and DC/AC converters, and motor control.

Výsledky: 7
Zvolit Obrázek Č. dílu Výr. Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství. Množství RoHS Model ECAD Výrobek Konfigurace Kolektor- napětí emitoru VCEO Max Saturační napětí kolektor-emitor Spojitý sběrač proudu při 25 C Svodový proud brána-emitor Pd – chlazený výkon Minimální provozní teplota Maximální provozní teplota Styl montáže Technologie
Microchip Technology Moduly IGBT PM-IGBT-SBD-BL3 4Na skladě
5 272,84 Kč
5 197,38 Kč
5 180,31 Kč
5 163,24 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
Microchip Technology Moduly IGBT PM-IGBT-SBD-BL3 9Na skladě
5 081,35 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
Microchip Technology Moduly IGBT PM-IGBT-SBD-BL1 9Na skladě
1 949,02 Kč
1 945,06 Kč
1 937,64 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
Microchip Technology Moduly IGBT PM-IGBT-SBD-BL2 3Na skladě
3 118,72 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
Microchip Technology Moduly IGBT PM-IGBT-SBD-BL1 4Na skladě
1 894,09 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
IGBT Modules Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
Microchip Technology Moduly IGBT PM-IGBT-SBD-BL2 7Na skladě
2 459,65 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
IGBT Modules Asymmetrical Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
Microchip Technology Moduly IGBT PM-IGBT-SBD-BL2 6Na skladě
3 118,72 Kč
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si