High Speed Asynchronous SRAMs

ISSI High-Speed Asynchronous SRAMs are high-speed, static RAMs organized in various access speeds and densities (64KB to 16MB). These High-Speed Asynchronous SRAMs are fabricated using ISSI's high-performance CMOS technology. This highly reliable process, coupled with innovative circuit design techniques, yields high-performance and low-power consumption devices. ISSI High-Speed Asynchronous SRAMs offer features that include high access speed, low active power, and low standby power with a single power supply. These ISSI devices are excellent in many industrial and automotive applications.

Výsledky: 3
Zvolit Obrázek Č. dílu Výr. Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství. Množství RoHS Model ECAD Velikost paměti Doba přístupu Napájecí napětí - Max Napájecí napětí - Min Napájecí proud – max. Minimální provozní teplota Maximální provozní teplota Styl montáže Obal / Pouzdro Balení
ISSI Paměť SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS Termín dodání, pokud není na skladě 12 týdny/týdnů
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

16 Mbit 35 ns 2.2 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray

ISSI Paměť SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Pin TSOP I, RoHS Termín dodání, pokud není na skladě 12 týdny/týdnů
Minimum: 96
Vícenásobek: 96

16 Mbit 35 ns 2.2 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
ISSI Paměť SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS Termín dodání, pokud není na skladě 12 týdny/týdnů
Minimum: 2 000
Vícenásobek: 2 000
: 2 000

16 Mbit 35 ns 2.2 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel