Výsledky: 5
Zvolit Obrázek Č. dílu Výr. Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství. Množství RoHS Model ECAD Styl montáže Obal / Pouzdro Polarita tranzistoru Počet kanálů Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem Id – trvalý proud kolektoru Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem Qg – náboj báze Minimální provozní teplota Maximální provozní teplota Pd – chlazený výkon Kanálový režim
Nexperia GaN tranzistory řízené polem (FET) GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060- 1 728Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN tranzistory řízené polem (FET) GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080- 77Na skladě
2 500Očekávané 09.03.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia GaN tranzistory řízené polem (FET) GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080- 2 060Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN tranzistory řízené polem (FET) GAN190-650EBE/SOT8074/DFN8080- 720Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN tranzistory řízené polem (FET) GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060-
2 483Očekávané 23.02.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement