PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.

Výsledky: 6
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Technologie
Styl montáže
Obal / Pouzdro
Polarita tranzistoru
Počet kanálů
Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem
Id – trvalý proud kolektoru
Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem
Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem
Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem
Qg – náboj báze
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Pd – chlazený výkon
Kanálový režim
Balení
Nexperia Tranzistory MOSFET PMDXB950UPEL/SOT1216/DFN1010B-
Technické informace
4 987Na skladě
10 000Na objednávce
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 5 000

Si SMD/SMT DFN-1010-6 P-Channel 2 Channel 20 V 500 mA 5 Ohms - 8 V, 8 V 950 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 380 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Tranzistory MOSFET PMDXB600UNE/SOT1216/DFN1010B-6
Technické informace
24 993Očekávané 08.02.2027 .
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 5 000

Si SMD/SMT DFN-1010-6 N-Channel 2 Channel 20 V 600 mA 3 Ohms, 3 Ohms - 8 V, 8 V 450 mV 400 pC - 55 C + 150 C 380 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Tranzistory MOSFET SOT1216 2NCH 30V .59A
Technické informace
140 000Očekávané 08.02.2027 .
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 5 000

Si SMD/SMT DFN-1010-6 N-Channel 2 Channel 30 V 590 mA 670 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 1.05 nC - 55 C + 150 C 4.03 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Tranzistory MOSFET PMDXB1200UPE/SOT1216/DFN1010B-
Technické informace
15 140Očekávané 08.02.2027 .
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 5 000

Si SMD/SMT DFN-1010-6 P-Channel 2 Channel 30 V 410 mA 1.4 Ohms - 8 V, 8 V 950 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 410 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Tranzistory MOSFET SOT1216 2NCH 20V .6A
Technické informace
9 200Očekávané 08.02.2027 .
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 5 000

Si SMD/SMT DFN-1010-6 N-Channel 2 Channel 20 V 600 mA 470 mOhms, 470 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 700 pC - 55 C + 150 C 380 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Tranzistory MOSFET PMDXB950UPE/SOT1216/DFN1010B-6
Technické informace
5 000Očekávané 08.02.2027 .
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 5 000

Si SMD/SMT DFN-1010-6 P-Channel 2 Channel 20 V 500 mA 5 Ohms - 8 V, 8 V 450 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 380 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel