N-kanálové MOSFETy PSMNxRx-80YSF NextPower

N-kanálové MOSFETy PSMNxRx-80YSF NextPower jsou 80 V MOSFETy se standardním hradlovým budičem. Tyto MOSFETy nabízejí nízký Qrr, což zajišťuje vyšší účinnost a nižší špičku. Zařízení PSMNxRx-80YSF poskytují nízký QG × RDSon vzhledem k účinnosti pro vysoce účinné spínací aplikace. K typickému využití patří řízení motorů BLDC, adaptéry USB-PD, spínač primární větve ve stejnosměrném proudu a synchronní usměrňovač střídavého i stejnosměrného proudu.

Výsledky: 2
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Technologie
Styl montáže
Obal / Pouzdro
Polarita tranzistoru
Počet kanálů
Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem
Id – trvalý proud kolektoru
Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem
Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem
Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem
Qg – náboj báze
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Pd – chlazený výkon
Kanálový režim
Balení
Nexperia Tranzistory MOSFET PSMN2R6-80YSF/SOT1023/4 LEADS
Technické informace
313Na skladě
3 000Očekávané 02.03.2026 .
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 1 500

Si SMD/SMT SOT-1023-4 N-Channel 1 Channel 80 V 231 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 85 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Tranzistory MOSFET PSMN3R3-80YSF/SOT669/LFPAK
Technické informace
2 568Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 80 V 160 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement