MOSFETy MDmesh™ M6

MOSFETy MDmesh™ M6 značky STMicroelectronics kombinují nízký náboj hradla (Qg) s optimalizovaným profilem kapacitní impedance, díky čemuž představují odpověď na požadavek vysoké účinnosti nových topologií aplikací převádění výkonu. Řada MOSFETů MDmesh M6 se superpřechodem nabízí extrémně vysokou účinnost, což má za následek zvýšenou hustotu výkonu a nízký náboj hradla pro provoz při vysokých frekvencích. MOSFETy řady M6 mají průrazné napětí 600 až 700 V a jsou dostupné v široké nabídce pouzder, včetně bezvodičového pouzdra (TO-LL), což přispívá k účinnému řízení tepla. Tyto obvody mají široké spektrum provozních napětí pro průmyslové aplikace včetně nabíječek, adaptérů, modulů silverbox, LED osvětlení, telekomunikací, serverů a solárních aplikací.

Výsledky: 49
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Technologie
Styl montáže
Obal / Pouzdro
Polarita tranzistoru
Počet kanálů
Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem
Id – trvalý proud kolektoru
Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem
Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem
Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem
Qg – náboj báze
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Pd – chlazený výkon
Kanálový režim
Obchodní označení
Balení
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
Technické informace
985Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 80 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 53.5 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
Technické informace
1 031Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 23 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
Technické informace
1 435Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 23 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
Technické informace
1 743Na skladě
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 80 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 57 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
Technické informace
478Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 106 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
Technické informace
878Na skladě
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 280 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 16.8 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package
Technické informace
299Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.25 V 44.3 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
Technické informace
2 784Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 415 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 13 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
Technické informace
610Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
Technické informace
482Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 800

Si SMD/SMT TO-LL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 99 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 44.3 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape


STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package
Technické informace
2 440Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.5 A 1.5 Ohms - 25 V, 25 V 2.25 V 6 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
Technické informace
881Na skladě
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 85 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 44.3 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
Technické informace
826Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 85 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 44.3 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
Technické informace
389Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 106 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
Technické informace
1 455Na skladě
2 500Očekávané 02.04.2027 .
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 320 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packa
Technické informace
50Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 320 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 18 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Technické informace
871Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 23 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
Technické informace
1 140Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 600 V 5.5 A 660 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 8.8 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
Technické informace
558Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 23 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
Technické informace
457Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 85 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 44.3 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
Technické informace
219Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 125 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
Technické informace
48Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 69 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 57 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Technické informace
45Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 280 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 16.8 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube


STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
Technické informace
25Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 62 A 42 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 99 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 61 mOhm typ 39 A MDmesh M6 Power MOSFET
Technické informace
16Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 69 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 57 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube