UCC21530/UCC21530-Q1 Isolated Gate Drivers

Texas Instruments UCC21530/UCC21530-Q1 Isolated Dual-Channel Gate Drivers feature a 4A source and 6A sink peak current and are designed to drive IGBTs and SiC MOSFETs up to 5MHz with best-in-class propagation delay and pulse-width distortion. The driver's input side is isolated from the two output drivers by a 5.7kVRMS reinforced isolation barrier, with a minimum of 100V/ns common-mode transient immunity (CMTI). The internal functional isolation between the two secondary-side drivers also allows a working voltage of up to 1850V.

Types of Semiconductors

Změnit zobrazení kategorií
Výsledky: 4
Zvolit Obrázek Č. dílu Výr. Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství. Množství RoHS
Texas Instruments Galvanicky izolované hradlové budiče 5.7kVrms 4A/6A dual -channel isolated ga A 595-UCC21530DWK 8 180Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 000

Texas Instruments Galvanicky izolované hradlové budiče Automotive 4-A 6-A 5 .7-kVRMS isolated A A 595-UCC21530QDWKQ1 1 976Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 000

Texas Instruments Hradlové budiče Automotive 4-A 6-A 5 .7-kVRMS isolated 1 907Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 000

Texas Instruments Galvanicky izolované hradlové budiče Automotive 4-A 6-A 5 .7-kVRMS isolated UC UCC21530BQDWKQ1 1 785Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 000