80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs

Toshiba 80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs provide high-speed switching, a small gate charge, and low power dissipation. The U-MOS X-H MOSFETs offer an excellent drain-source on-resistance (RDS(ON)) x transmission resistance x input capacitance (Ciss) value leading to high conductivity and low gate driver losses. The reduced output capacitance (COSS) lowers the output charge (QOSS), increasing the switching efficiency of these devices. These MOSFETs are suitable for switching voltage regulators, motor drivers, and high-efficiency DC-DC converters.

Výsledky: 11
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Technologie
Styl montáže
Obal / Pouzdro
Polarita tranzistoru
Počet kanálů
Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem
Id – trvalý proud kolektoru
Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem
Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem
Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem
Qg – náboj báze
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Pd – chlazený výkon
Kanálový režim
Balení
Toshiba Tranzistory MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 2.4mohm
Technické informace
894Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.44 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 178 nC + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba Tranzistory MOSFET UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm
Technické informace
4 465Na skladě
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) N-Channel 1 Channel 80 V 84 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Tranzistory MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm
Technické informace
5 924Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 55 nC + 175 C 150 W Enhancement Tube
Toshiba Tranzistory MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm
Technické informace
71Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 92 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 102 nC + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba Tranzistory MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4mohm
Technické informace
7Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 2.44 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 179 nC + 175 C 47 W Enhancement Tube
Toshiba Tranzistory MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm
Technické informace
268Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 70 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 54 nC + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba Tranzistory MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8mohm
Technické informace
488Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 58 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 41 W Enhancement Tube
Toshiba Tranzistory MOSFET UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm
Technické informace
129Na skladě
10 000Na objednávce
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) N-Channel 1 Channel 80 V 62 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Tranzistory MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 7mohm
Technické informace
435Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 87 W Enhancement Tube
Toshiba Tranzistory MOSFET 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm
Technické informace
39Na skladě
20 000Očekávané 11.05.2026 .
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Tranzistory MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm
Technické informace
150Očekávané 13.04.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 110 nC + 175 C 230 W Enhancement Tube