GaN tranzistory řízené polem (FET) – Mouser Česká Republika

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

HEMT 6 GHz GaN CGHV600

Wolfspeed CGHV600 6GHz gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) provide superior performance compared with silicon (Si) or gallium arsenide (GaAs) transistors. CGHV600 GaN HEMTs offer higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. These transistors also offer greater power density and wider bandwidths. CGHV600 series devices are ideal for use in a variety of applications, including cellular infrastructure and Class A, AB, and linear amplifiers.
Learn More

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Výsledky: 2

Uplatněné filtry:

Počet kanálů

Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem

Id – trvalý proud kolektoru

Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem

Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem

Pd – chlazený výkon

Resetovat vše

Hledání ve výsledcích

Na skladě

Běžně skladem

Aktivní

Nové produkty

V souladu RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }