RV8L002SN & RV8C010UN Small Signal MOSFETs

ROHM Semiconductor RV8L002SN and RV8C010UN Small Signal MOSFETs feature a leadless ultra-small package and exposed drain pad for excellent thermal conduction. The RV8L002SN and RV8C010UN MOSFETs also offer very fast switching, a 2.5V ultra-low voltage drive, and ESD protection up to 2kV.

Výsledky: 2
Zvolit Obrázek Č. dílu Výr. Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství. Množství RoHS Model ECAD Technologie Styl montáže Obal / Pouzdro Polarita tranzistoru Počet kanálů Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem Id – trvalý proud kolektoru Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem Minimální provozní teplota Maximální provozní teplota Pd – chlazený výkon Kanálový režim Balení
ROHM Semiconductor Tranzistory MOSFET MOSFET Nch, 20V(Vdss), 1.0A(Id), (1.2V, 1.5V Drive) 7 726Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 8 000

Si SMD/SMT DFN-1010-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1 A 470 mOhms - 8 V, 8 V 1 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Tranzistory MOSFET MOSFET Nch, 60V(Vdss), 0.2A(Id), (2.5V, 4.0V Drive)
8 000Očekávané 22.04.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 8 000

Si SMD/SMT DFN-1010-3 N-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 2.4 Ohms - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape