Zdá se, že ve svém prohlížeči máte vypnutý JavaScript. Některé funkce na této stránce nebudou fungovat, dokud se nepřihlásíte.

Zpět na výsledky vyhledávání

Vidíte nějakou chybu?

CGHV50200F

Name: MACOM CGHV50200F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV50200F
Price: 36482.19 CZK
Availability: OutOfStock

Obrázky jsou pouze pro referenční účely
Viz specifikace produktu

Č. Mouser:

941-CGHV50200F

Výr. Č.:

CGHV50200F

Výrobce:

MACOM

Popis:

GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt

Technické informace:

CGHV50200F Technické informace (PDF)

Model ECAD:

Stáhněte si zdarma Library Loader, kterým převedete tento soubor na formát požadovaný vaším nástrojem ECAD. Více informací o modelu ECAD.

Více informací

Další informace o MACOM CGHV50200F

Upozornění na zásilku:

Pro vývoz ze Spojených států může být u tohoto zboží vyžadována další dokumentace.

Dostupnost

Na skladě:: Není na skladě

Došlo k neočekávané chybě. Zkuste to prosím znovu později.
Dodací lhůta výrobce: 26 týdny/týdnů Odhadovaná doba výroby v závodě.

U tohoto produktu je dlouhá dodací lhůta.

Zadejte množství:

Minimum: 1 Vícenásobné: 1

Jednotková cena:

-,-- Kč

Rozš. cena:

-,-- Kč

Předp. Clo:

Tento výrobek dopravujeme ZDARMA

Stanovení ceny (CZK)

Množství	Jednotková cena	Rozš. cena
	36 482,19 Kč	36 482,19 Kč

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Vlastnost produktu	Hodnota vlastnosti	Zvolit atribut
Výrobce:	MACOM
Kategorie produktu:	GaN tranzistory řízené polem (FET)
Omezení dodávky:	Pro vývoz ze Spojených států může být u tohoto zboží vyžadována další dokumentace.
RoHS::
Styl montáže:	Screw Mount
Obal / Pouzdro:	4402015
Polarita tranzistoru:	N-Channel
Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem:	150 V
Id – trvalý proud kolektoru:	17 A
Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem:	- 3.4 V
Minimální provozní teplota:	- 40 C
Maximální provozní teplota:	+ 150 C
Značka :	MACOM
Vývojová sada:	CGHV50200F-AMP
Zesílení:	11.5 dB
Maximální provozní frekvence:	5 GHz
Minimální provozní frekvence:	4.4 GHz
Výstupní výkon:	180 W
Balení:	Tray
Typ produktu:	GaN FETs
Množství v balení od výrobce:	10
Podkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Typ tranzistoru:	GaN HEMT
Vgs – Průrazné napětí mezi bází a emitorem:	- 10 V to 2 V

Nalezené produkty:

Chcete-li zobrazit podobné produkty, zaškrtněte alespoň jedno pole

Chcete-li v této kategorii zobrazit podobné produkty, zaškrtněte nahoře alespoň jedno pole.

Vybrané atributy: 0

Filtr dokumentů:

Technické informace

CGHV50200F Technické informace (PDF)

PCN

Tato funkce vyžaduje povolení JavaScriptu.

Kódy shody s předpisy

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: 3A001.b.3.a

Klasifikace původu

Země původu:: Spojené státy
Země původu (montáže):: Nelze objednat
Země difúze (země výroby polovodičů):: Nelze objednat

Země může podléhat změně při odeslání zásilky.

CGHV50200F GaN HEMT

MACOM CGHV50200F 200W Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) is ideal for SatCom applications, such as troposcatter communications and beyond line-of-sight (BLOS). Thise GaN HEMT is matched to 50Ω for ease of use and is designed for continuous wave (CW), pulse, and linear modes of power amplifier operation. The device is supplied in a ceramic/metal flange type 440217 package and offers high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. MACOM CGHV50200F GaN HEMT delivers a higher breakdown voltage, higher temperature operation, higher efficiency, higher thermal conductivity, higher power density, and wider bandwidths than conventional silicon (Si) and gallium arsenide (GaAs) devices.