NVMFS6H824NLT1G & NVTFS6H888NLTAG Power MOSFETs

onsemi NVMFS6H824NLT1G and NVTFS6H888NLTAG MOSFETs Automotive Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and come in a small footprint flat lead DFN5 package for compact designs. These onsemi devices offer low QG and capacitance to minimize driver losses and low RDS(on) to reduce conduction losses. Wettable flank options (NVMFS6H824NLWF and NVTFS6H888NLWF in a WDFN8 package) provide enhanced optical inspection. Typical applications include switching power supplies, motor control, power switches (high-/low-side drivers and H-bridges), 48V systems, DC/DC converters, and load switches.

Výsledky: 4
Zvolit Obrázek Č. dílu Výr. Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství. Množství RoHS Model ECAD Technologie Styl montáže Obal / Pouzdro Polarita tranzistoru Počet kanálů Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem Id – trvalý proud kolektoru Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem Qg – náboj báze Minimální provozní teplota Maximální provozní teplota Pd – chlazený výkon Kanálový režim Balení
onsemi Tranzistory MOSFET T8 80V LL SO8FL 4 547Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 110 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Tranzistory MOSFET T8 80V LL SO8FL 1 397Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi Tranzistory MOSFET T8 80V LL U8FL 4 329Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 14 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Tranzistory MOSFET T8 80V LL U8FL 1 330Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 Reel, Cut Tape