Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm2 to 15J/cm2 and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.

Types of Discrete Semiconductors
Změnit zobrazení kategorií
Výsledky: 35
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Typ produktu
Technologie
Styl montáže
Obal / Pouzdro
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-220
Technické informace
826Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247
Technické informace
121Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Microchip Technology Moduly MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
Technické informace
33Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount SOT-227-4
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
Technické informace
141Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC 700 V, 10 A SiC SBD
Technické informace
623Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268
Technické informace
44Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT D3PAK-3
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-268
Technické informace
177Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT D3PAK-3
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-268
Technické informace
96Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT D3PAK-3
Microchip Technology Moduly MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm SOT-227
Technické informace
50Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount SOT-227-4
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC 1200 V, 30 A SiC SBD
Technické informace
575Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247
Technické informace
143Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
Technické informace
888Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247
Technické informace
142Na skladě
150Očekávané 27.08.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
Technické informace
18Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC 1200 V, 10 A SiC SBD
Technické informace
82Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC 1200 V, 10 A SiC SBD
Technické informace
75Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247
Technické informace
82Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-268
Technické informace
1Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT D3PAK-3
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-268
Technické informace
23Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT D3PAK-3
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC SIC SBD 700 V 30 A TO-247
Technické informace
159Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC 700V, 30A SiC SBD
Technické informace
70Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-268
Technické informace
25Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247
Technické informace
78Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Microchip Technology Moduly MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm SOT-227
Technické informace
5Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount SOT-227-4
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC 700 V, 50 A SiC SBD
Technické informace
105Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2