650V IH Series IGBTs

STMicroelectronics 650V IH Series IGBTs offer high efficiency for induction heating systems and soft switching applications. The STMicroelectronics IGBTs belong to the STPOWER™ family that exceeds the HB series, currently used for induction heating applications. The 650V IH series ensures increased efficiency in final applications thanks to a lower VCE(sat)  combined with very low turn-off energy. 40A and 50A devices are already available in TO-247 Long Leads packages, and 20A and 30A devices are being developed.

Výsledky: 10
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Technologie
Obal / Pouzdro
Styl montáže
Konfigurace
Kolektor- napětí emitoru VCEO Max
Saturační napětí kolektor-emitor
Maximální napětí emitoru brány
Spojitý sběrač proudu při 25 C
Pd – chlazený výkon
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Série
Způsobilost
Balení
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop 1350 V, 25 A, soft-switching IH2 series IGBT
Technické informace
520Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Tube
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
Technické informace
983Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 20 V, 20 V 100 A 300 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop 1350 V, 35 A, soft-switching IH2 series IGBT
Technické informace
477Na skladě
600Očekávané 27.08.2027 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Tube
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Technické informace
894Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 86 A 272 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT
Technické informace
14Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

- 20 V, 20 V HB2 AEC-Q100 Tube
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
Technické informace
42Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 145 A 441 W - 55 C + 150 C HB2 Tube
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Technické informace
493Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C HB2 Tube

STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads
Technické informace
600Očekávané 27.08.2027 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo
Technické informace
Doba dodání 22 týdny/týdnů
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 20 V, 20 V 80 A 238 W - 55 C + 175 C STGWA40IH65DF Tube
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 20 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long lead
Technické informace
Termín dodání, pokud není na skladě 14 týdny/týdnů
Minimum: 600
Vícenásobek: 600

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 166 W - 55 C + 175 C HB2 Tube