RQxAT P-Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor RQxAT P-Channel features surface mount packaging with low ON resistance and are 100% Rg and UIS tested. These P-channel MOSFETs offer a gate-source voltage of ±20V. The RQ3N025AT and RQ5L030AT MOSFETs feature a maximum drain-source ON resistance of 240mΩ and 99mΩ, respectively. These P-channel MOSFETs are RoHS compliant and halogen-free. The RQ3N025AT and RQ5L030AT MOSFETs offer a drain-source voltage of -80V and -60V, respectively. These P-channel MOSFETs operate within the -55°C to 150°C temperature range. Typical applications include switching and motor drives.

Výsledky: 2
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Technologie
Styl montáže
Obal / Pouzdro
Polarita tranzistoru
Počet kanálů
Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem
Id – trvalý proud kolektoru
Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem
Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem
Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem
Qg – náboj báze
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Pd – chlazený výkon
Kanálový režim
Balení
ROHM Semiconductor Tranzistory MOSFET Pch -80V -2.5A, HSMT8, Power MOSFET
Technické informace
2 320Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 3 000
Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 80 V 7 A 240 mOhms 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 14 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Tranzistory MOSFET Pch -60V -3.0A, SOT-346T, Small Signal MOSFET
Technické informace
2 400Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 3 000
Si SMD/SMT SOT-346T-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3 A 99 mOhms 20 V 2.5 V 17.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape