Výsledky: 2
Zvolit Obrázek Č. dílu Výr. Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství. Množství RoHS Model ECAD Technologie Styl montáže Obal / Pouzdro Polarita tranzistoru Počet kanálů Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem Id – trvalý proud kolektoru Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem Qg – náboj báze Minimální provozní teplota Maximální provozní teplota Pd – chlazený výkon Kanálový režim Způsobilost Obchodní označení Balení
Toshiba Tranzistory MOSFET 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1 682Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 15 A 13.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Tranzistory MOSFET N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014 Není na skladě
Minimum: 2 000
Vícenásobek: 2 000
Cívka: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 20 A 14 mOhms 38 W U-MOSIV Reel