STY112N65M5

STMicroelectronics
511-STY112N65M5
STY112N65M5

Výrobce:

Popis:
Tranzistory MOSFET N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5
Dokončete svůj návrh

Technické informace:
Model ECAD:
Stáhněte si zdarma Library Loader, kterým převedete tento soubor na formát požadovaný vaším nástrojem ECAD. Více informací o modelu ECAD.
Více informací
Další informace o STMicroelectronics STY112N65M5

Vlastnost produktu Hodnota vlastnosti Zvolit atribut
STMicroelectronics
Kategorie produktu: Tranzistory MOSFET
RoHS::  
Si
Through Hole
Max247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
96 A
19 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
350 nC
- 55 C
+ 150 C
625 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Značka : STMicroelectronics
Konfigurace: Single
Typ produktu: MOSFETs
Série: Mdmesh M5
Množství v balení od výrobce: 600
Podkategorie: Transistors
Typ tranzistoru: 1 N-Channel
Jednotková váha: 5 g
Nalezené produkty:
Chcete-li zobrazit podobné produkty, zaškrtněte alespoň jedno pole
Chcete-li v této kategorii zobrazit podobné produkty, zaškrtněte nahoře alespoň jedno pole.
Vybrané atributy: 0

Kódy shody s předpisy
TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Klasifikace původu
Země původu:
Čína
Země původu (montáže):
Nelze objednat
Země difúze (země výroby polovodičů):
Nelze objednat
Země může podléhat změně při odeslání zásilky.

MDmesh M5 Power MOSFETs

STMicroelectronics 550 and 650V MDmesh M5 series of super-junction Power MOSFETs offer outstanding RDS(on) values to significantly reduce losses in line-voltage PFC circuits and power supplies. This in turn enables new generations of electronic products offering greater energy savings, superior power density, and more compact applications.

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

N-channel MDmesh V Power MOSFET

STMicroelectronics 550 and 650V MDmesh M5 series of super-junction Power MOSFETs offer outstanding RDS(on) values to significantly reduce losses in line-voltage PFC circuits and power supplies. This in turn enables new generations of electronic products to offer greater energy savings, superior power density, and more compact applications. This new technology will help product designers tackle emerging challenges such as the high-efficiency targets of new eco-design directives, and will also benefit the renewable energy sector by saving vital watts normally lost in power-control modules. 

Dostupnost

Na skladě:
Není na skladě
Dodací lhůta výrobce
26 týdny/týdnů Odhadovaná doba výroby v závodě.
U tohoto produktu je dlouhá dodací lhůta.
Minimum: 600   Vícenásobné: 600
Jednotková cena:
-,-- Kč
Rozš. cena:
-,-- Kč
Předp. Clo:
Tento výrobek dopravujeme ZDARMA

Stanovení ceny (CZK)

Množství Jednotková cena
Rozš. cena
575,94 Kč 345 564,00 Kč

Došlo k neočekávané chybě.


Máte nějaké otázky? Navštivte Centrum nápovědy.
Pro otázky týkající se konkrétní objednávky se prosím přihlaste ke svému účtu.

Pokud narazíte na další problémy, kontaktujte nás prosím na čísle 800-346-6873 nebo zašlete e-mail na help@mouser.com.