STP80N240K6 MDmesh K6 Power MOSFET

STMicroelectronics STP80N240K6 MDmesh K6 Power MOSFET is based on the ultimate MDmesh K6 technology built on 20 years of STM experience on super junction technology. The high voltage N-channel power MOSFET offers an ultra-low gate charge and excellent RDS(on) x area. The ST STP80N240K6 800V Power MOSFET features best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Výsledky: 2
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Technologie
Styl montáže
Obal / Pouzdro
Polarita tranzistoru
Počet kanálů
Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem
Id – trvalý proud kolektoru
Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem
Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem
Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem
Qg – náboj báze
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Pd – chlazený výkon
Kanálový režim
Obchodní označení
Balení
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
Technické informace
2 419Na skladě
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 340 mOhms - 10 V, 10 V 3 V 17.8 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
Technické informace
58Na skladě
1 000Očekávané 01.03.2027 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube