CMPA0530002S

MACOM
941-CMPA0530002S
CMPA0530002S

Výrobce:

Popis:
VF zesilovač GaN HEMT, MMIC, 2W, 0.5-3.0GHz, 28V, 3x4

Model ECAD:
Stáhněte si zdarma Library Loader, kterým převedete tento soubor na formát požadovaný vaším nástrojem ECAD. Více informací o modelu ECAD.

Na skladě: 61

Na skladě:
61
Lze odeslat ihned
Na objednávce:
100
Očekávané 24.04.2026 .
Dodací lhůta výrobce
26
týdny/týdnů Odhadovaná doba výroby v závodě pro větší množství než je zobrazeno.
U tohoto produktu je dlouhá dodací lhůta.
Minimum: 1   Vícenásobné: 1
Jednotková cena:
-,-- Kč
Rozš. cena:
-,-- Kč
Předp. Clo:
Obal:
Plná/Plné Role (Objednávejte v násobcích 50)
Tento výrobek dopravujeme ZDARMA

Stanovení ceny (CZK)

Množství Jednotková cena
Rozš. cena
Odstřižený pás / MouseReel™
1 964,25 Kč 1 964,25 Kč
1 888,11 Kč 18 881,10 Kč
Plná/Plné Role (Objednávejte v násobcích 50)
1 855,37 Kč 92 768,50 Kč
250 Nabídka
† Poplatek za 165,00 Kč MouseReel™ bude přidán a vypočítán nákupním košíku. Objednávky obsahující MouseReel™ nelze stornovat ani vrátit.

Vlastnost produktu Hodnota vlastnosti Zvolit atribut
MACOM
Kategorie produktu: VF zesilovač
RoHS::  
500 MHz to 3 GHz
28 V
17.52 dB
Power Amplifiers
SMD/SMT
DFN-12
GaN
- 65 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Značka : MACOM
Země montáže: Not Available
Země difúze (země výroby polovodičů): Not Available
Země původu: US
Citlivé na vlhkost: Yes
Typ produktu: RF Amplifier
Množství v balení od výrobce: 50
Podkategorie: Wireless & RF Integrated Circuits
Nalezené produkty:
Chcete-li zobrazit podobné produkty, zaškrtněte alespoň jedno pole
Chcete-li v této kategorii zobrazit podobné produkty, zaškrtněte nahoře alespoň jedno pole.
Vybrané atributy: 0

Tato funkce vyžaduje povolení JavaScriptu.

TARIC:
8542330000
CNHTS:
8542339000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99

CMPA0530002S GaN HEMT

MACOM CMPA0530002S Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) is specially designed for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. The MACOM CMPA0530002S operates on a 28V rail while encased in a 3mm x 4mm, surface-mount, dual-flat-no-lead (DFN) package. The transistor can operate below 28V to as low as 20V VDD under reduced power, maintaining high gain and efficiency.