MJD44H11A & MJD45H11A 80V 8A Bipolar Transistors

Nexperia MJD44H11A and MJD45H11A 80V 8A Bipolar Transistors offer high thermal power dissipation in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. These devices provide high energy efficiency due to low heat generation and feature low collector-emitter saturation voltage. The MJD44H11A and MJD45H11A are ideal for various applications, including linear voltage regulators, power management, and constant current drive backlighting.

Výsledky: 3
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Technologie
Styl montáže
Obal / Pouzdro
Polarita tranzistoru
Konfigurace
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
Kolektor- napětí emitoru VCEO Max
Napětí emitor - základna VEBO
Saturační napětí kolektor-emitor
Pd – chlazený výkon
Produkt přírůstkového pásma fT
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Balení
Nexperia Bipolární tranzistory, BJT SOT428 80V 8A NPN HI PWR BJT
Technické informace
Poznámky k produktu
54Na skladě
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 15 000
Cívka: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 160 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolární tranzistory, BJT SOT428 80V 8A NPN HI PWR BJT
Technické informace
Poznámky k produktu
155Na skladě
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 155
Cívka: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 160 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolární tranzistory, BJT SOT428 80V 8A PNP HI PWR BJT
Technické informace
Poznámky k produktu
1 632Na skladě
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 1 632
Cívka: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 80 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel