MOSFETy SiC – Mouser Česká Republika

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Výsledky: 11

Uplatněné filtry:

Id – trvalý proud kolektoru

Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem

Qg – náboj báze

Pd – chlazený výkon

Resetovat vše

Hledání ve výsledcích

Na skladě

Běžně skladem

Aktivní

Nové produkty

V souladu RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Č. dílu

MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 378,54 Kč
3 495Na skladě

Výr. Č. části
IMBG120R017M2HXTMA1

Č. části Mouser
726-IMBG120R017M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Další informace

Technické informace

3 495Na skladě

Odstřihnout pás

378,54 Kč

269,66 Kč

254,87 Kč

Role

234,74 Kč

Minimum: 1
Vícenásobek: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

17.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

470 W

Enhancement

MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R234M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 102,58 Kč
7 898Na skladě

Výr. Č. části
IMBG120R234M2HXTMA1

Č. části Mouser
726-IMBG120R234M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Další informace

Technické informace

7 898Na skladě

Odstřihnout pás

102,58 Kč

68,14 Kč

48,50 Kč

45,83 Kč

Role

42,68 Kč

Minimum: 1
Vícenásobek: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

8.1 A

233.9 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 709,80 Kč
456Na skladě
2 000Očekávané 17.09.2026 .

Výr. Č. části
IMBG120R008M2HXTMA1

Č. části Mouser
726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Další informace

Technické informace

456Na skladě

2 000Očekávané 17.09.2026 .

Odstřihnout pás

709,80 Kč

564,78 Kč

Role

564,78 Kč

K dispozici na MouseReel

Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 10

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 491,79 Kč
867Na skladě

Výr. Č. části
IMBG120R012M2HXTMA1

Č. části Mouser
726-IMBG120R012M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Další informace

Technické informace

867Na skladě

Odstřihnout pás

491,79 Kč

359,14 Kč

356,72 Kč

Role

341,93 Kč

Minimum: 1
Vícenásobek: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

144 A

12.2 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R022M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 309,19 Kč
391Na skladě

Výr. Č. části
IMBG120R022M2HXTMA1

Č. části Mouser
726-IMBG120R022M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Další informace

Technické informace

391Na skladě

Odstřihnout pás

309,19 Kč

213,89 Kč

195,94 Kč

Role

190,36 Kč

K dispozici na MouseReel

Minimum: 1
Vícenásobek: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

87 A

21.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 260,20 Kč
1 700Na skladě

Výr. Č. části
IMBG120R026M2HXTMA1

Č. části Mouser
726-IMBG120R026M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Další informace

Technické informace

1 700Na skladě

Odstřihnout pás

260,20 Kč

178,00 Kč

Role

178,00 Kč

Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Max.: 60

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

75 A

25.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

335 W

Enhancement

MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 206,37 Kč
437Na skladě

Výr. Č. části
IMBG120R040M2HXTMA1

Č. části Mouser
726-IMBG120R040M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Další informace

Technické informace

437Na skladě

Odstřihnout pás

206,37 Kč

142,35 Kč

116,16 Kč

115,92 Kč

Role

112,76 Kč

Minimum: 1
Vícenásobek: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

52 A

39.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 149,87 Kč
1 211Na skladě

Výr. Č. části
IMBG120R078M2HXTMA1

Č. části Mouser
726-IMBG120R078M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Další informace

Technické informace

1 211Na skladě

Odstřihnout pás

149,87 Kč

101,37 Kč

76,15 Kč

Role

73,72 Kč

Minimum: 1
Vícenásobek: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

78.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

20.6 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R116M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 133,13 Kč
725Na skladě

Výr. Č. části
IMBG120R116M2HXTMA1

Č. části Mouser
726-IMBG120R116M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Další informace

Technické informace

725Na skladě

Odstřihnout pás

133,13 Kč

87,30 Kč

71,78 Kč

70,81 Kč

Role

60,38 Kč

Minimum: 1
Vícenásobek: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

21.2 A

115.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

123 W

Enhancement

MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R181M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 112,52 Kč
867Na skladě
1 000Na objednávce

Výr. Č. části
IMBG120R181M2HXTMA1

Č. části Mouser
726-IMBG120R181M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Další informace

Technické informace

867Na skladě

1 000Na objednávce

Odstřihnout pás

112,52 Kč

71,78 Kč

53,59 Kč

52,62 Kč

Role

48,99 Kč

Minimum: 1
Vícenásobek: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

14.9 A

181.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 154,23 Kč
1 968Očekávané 11.06.2026 .

Výr. Č. části
IMBG120R053M2HXTMA1

Č. části Mouser
726-IMBG120R053M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETy SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Další informace

Technické informace

1 968Očekávané 11.06.2026 .

Odstřihnout pás

154,23 Kč

121,25 Kč

95,06 Kč

Role

88,76 Kč

K dispozici na MouseReel

Minimum: 1
Vícenásobek: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

52.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

Zákaznický Servis–Kancelář

Společnost

Zdroje

Podpora