Flash Memory with Enhanced VersatileIO™ Control

Cypress S29PL032J70BFI120 Flash Memory with Enhanced VersatileIO™ Control is a 32Mbit, 3.0 volt-only Page Mode, and Simultaneous Read/Write Flash memory device organized as 8/8/4/2 Mwords. This Cypress memory device can be programmed in-system or in standard EPROM programmers. A 12.0V V<sub>PP</sub> is not required for write or erase operations. The device offers fast page access times of 20 to 30ns, with corresponding random access times of 55 to 70ns, respectively, allowing high-speed microprocessors to operate without wait states.

NEBYLY NALEZENY ŽÁDNÉ VÝSLEDKY..
Zkuste upravit hledaný výraz níže nebo navštivte Středisko nápovědy.
Návrhy vyhledávání
  • Kontrola pravopisu èísla souèásti nebo klíèových slov
  • Použijte ménì klíèových slov nebo jiná klíèová slova
  • Vyhledávejte vždy 1 èíslo souèásti
  • Použijte 1 filtr