Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

Types of Discrete Semiconductors
Změnit zobrazení kategorií
Výsledky: 33
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Typ produktu
Technologie
Styl montáže
Obal / Pouzdro
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
Technické informace
258Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-220
Technické informace
826Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology MOSFETy SiC FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
Technické informace
982Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
Technické informace
141Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC 700 V, 10 A SiC SBD
Technické informace
623Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-247
Technické informace
43Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC 1200 V, 30 A SiC SBD
Technické informace
575Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
Technické informace
888Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2

Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
Technické informace
76Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247
Technické informace
960Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268
Technické informace
96Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-268-3
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
Technické informace
18Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC 1200 V, 10 A SiC SBD
Technické informace
82Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC 1200 V, 10 A SiC SBD
Technické informace
75Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4
Technické informace
49Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC SIC SBD 700 V 30 A TO-247
Technické informace
159Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC 700V, 30A SiC SBD
Technické informace
70Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-268
Technické informace
25Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC 700 V, 50 A SiC SBD
Technické informace
105Na skladě
150Očekávané 03.09.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-268
Technické informace
41Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4
Technické informace
55Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4
Technické informace
30Na skladě
120Očekávané 31.08.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-268
Technické informace
124Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC MOSFETS SMD/SMT D3PAK-3
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4
Technické informace
509Očekávané 03.09.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology Schttkyho diody na bázi SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
Technické informace
450Očekávané 25.09.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2