40V TrenchT4 Power MOSFETs

IXYS 40V TrenchT4 Power MOSFETs are easy-to-mount N-Channel enhancement MOSFETs housed in international standard packages. The series offers high current handling capability and 175°C maximum operating temperature. These avalanche-rated MOSFETs feature low RDS(on) and a fast intrinsic rectifier. Typical applications for IXYS 40V TrenchT4 Power MOSFETs include synchronous buck converters, high current switching power supplies, battery-powered electric motors, resonant-mode power supplies, DC-DC converters, offline uninterruptible power supplies (UPS), primary-side switches, and much more.

Výsledky: 9
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Technologie
Styl montáže
Obal / Pouzdro
Polarita tranzistoru
Počet kanálů
Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem
Id – trvalý proud kolektoru
Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem
Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem
Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem
Qg – náboj báze
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Pd – chlazený výkon
Kanálový režim
Obchodní označení
Balení
IXYS Tranzistory MOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2
Technické informace
Není na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 140 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Tranzistory MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
Technické informace
Není na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.2 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Tranzistory MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
Technické informace
Není na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.2 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Tranzistory MOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2
Technické informace
Není na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 36 V 380 A 1 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 260 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Tranzistory MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
Technické informace
Není na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.4 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Tranzistory MOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP
Technické informace
Není na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 140 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Tranzistory MOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP
Technické informace
Není na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms - 15 V, 15 V 2 V - 55 C + 175 C 340 W HiPerFET Tube
IXYS Tranzistory MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
Technické informace
Není na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.4 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Tranzistory MOSFET 40V/440A TrenchT4 Power MOSFET
Technické informace
Není na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 40 V 440 A 1.25 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 480 nC - 55 C + 175 C 940 W Enhancement HiPerFET Tube