SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

Výsledky: 8
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Styl montáže
Obal / Pouzdro
Polarita tranzistoru
Počet kanálů
Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem
Id – trvalý proud kolektoru
Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem
Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem
Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem
Qg – náboj báze
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Pd – chlazený výkon
Kanálový režim
STMicroelectronics GaN tranzistory řízené polem (FET) 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
Technické informace
695Na skladě
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 2 500

SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
STMicroelectronics GaN tranzistory řízené polem (FET) 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
Technické informace
365Na skladě
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 1 800

SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement
STMicroelectronics GaN tranzistory řízené polem (FET) 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
Technické informace
1 000Očekávané 08.06.2026 .
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
STMicroelectronics GaN tranzistory řízené polem (FET) 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
Technické informace
Není na skladě
Minimum: 3 000
Vícenásobek: 3 000
Cívka: 3 000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement
STMicroelectronics GaN tranzistory řízené polem (FET) 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
Technické informace
Není na skladě
Minimum: 3 000
Vícenásobek: 3 000
Cívka: 3 000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
STMicroelectronics GaN tranzistory řízené polem (FET) 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
Technické informace
Není na skladě
Minimum: 3 000
Vícenásobek: 3 000
Cívka: 3 000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
STMicroelectronics GaN tranzistory řízené polem (FET) 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
Technické informace
Není na skladě
Minimum: 3 000
Vícenásobek: 3 000
Cívka: 3 000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement
STMicroelectronics GaN tranzistory řízené polem (FET) 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
Technické informace
Doba dodání 62 týdny/týdnů
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
Cívka: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W