Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed to deliver high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications. These MOSFETs are available in 650V and 1200V variants and feature a low forward voltage drop, high switching speeds, and robust reliability, making the MOSFETs ideal for industrial power supplies, energy storage, motor driving, data centers, server farms, and electric vehicle (EV) charging. These APC-E SiC MOSFETs are engineered to improve energy efficiency, reduce system size and weight, and enable modern system architectures. The devices are paired with custom-designed gate drivers to ensure optimal performance and reliability.

Výsledky: 20
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Styl montáže
Obal / Pouzdro
Počet kanálů
Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem
Id – trvalý proud kolektoru
Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem
Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem
Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem
Qg – náboj báze
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Pd – chlazený výkon
Kanálový režim
APC-E MOSFETy SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Technické informace
290Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E MOSFETy SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Technické informace
266Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E MOSFETy SiC 1200V 30mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Technické informace
300Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 57 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
APC-E MOSFETy SiC 650V 35mR, TO-247-4L, Automotive Grade 300Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4L 650 V
APC-E MOSFETy SiC 1200V 30mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Technické informace
300Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 58 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
APC-E MOSFETy SiC 1200V 13mR, TO247-4L, Automotive Grade
Technické informace
290Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 145 A 13 mOhms 18 V + 175 C
APC-E MOSFETy SiC 650V 27mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Technické informace
300Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E MOSFETy SiC 1200V 13mR, TO247-4L, Industrial Grade
Technické informace
265Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 160 A 16 mOhms - 10 V, 25 V 3.6 V 213 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement
APC-E MOSFETy SiC 650V 27mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Technické informace
300Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E MOSFETy SiC 650V 35mR, TO-247-4L, Industrial Grade 290Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4L 650 V
APC-E MOSFETy SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Technické informace
268Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E MOSFETy SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Technické informace
262Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E MOSFETy SiC 1700V 1000mR, TO247-3L, Industrial Grade
Technické informace
300Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-3 1.7 kV 6.8 A 1 kOhms 20 V + 175 C
APC-E MOSFETy SiC 650V 27mR, SAPKG-9L, Automotive Grade
Technické informace
600Očekávané 18.11.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 600

SMD/SMT SAPKG-9L 1 Channel 650 V 81 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 87 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E MOSFETy SiC 1200V 20mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Technické informace
300Očekávané 18.11.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 88 A 26 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 403 W Enhancement

APC-E MOSFETy SiC 650V 65mR, TO-247-3L, Automotive Grade
300Očekávané 18.11.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-3L 650 V

APC-E MOSFETy SiC 650V 65mR, TO-247-3L, Industrial Grade
300Očekávané 18.11.2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E MOSFETy SiC 1200V 75mR, TO247-4L, Automotive Grade
Technické informace
Není na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 41 A 75 mOhms 15 V + 175 C
APC-E MOSFETy SiC 1200V 32mR, TO247-4L, Industrial Grade
Technické informace
Není na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 77 A 32 mOhms 15 V + 175 C
APC-E MOSFETy SiC 1200V 75mR, TO247-4L, Industrial Grade
Technické informace
Není na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 35 A 75 mOhms 15 V + 175 C