600V Power Schottky Silicon Carbide Diode

STMicroelectronics' 600V Power Schottky Silicon Carbide Diodes are ultra high performance power Schottky diodes. They are manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material of these allows the design of a Schottky diode structured with a 600V rating. Due to the Schottky construction of these diodes no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These Power Schottky Silicon Carbide Diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.

Výsledky: 2
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Styl montáže
Obal / Pouzdro
Konfigurace
If – propustný proud
Vrrm – opakované závěrné napětí
Vf – propustné napětí
Ifsm – nárazový propustný proud
Ir – závěrný proud
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Série
Balení
STMicroelectronics Schttkyho diody na bázi SiC 600 V Power Schottky Diode
Technické informace
Termín dodání, pokud není na skladě 52 týdny/týdnů
Minimum: 1 000
Vícenásobek: 1 000

Through Hole TO-220AC-2 Single 4 A 600 V 1.9 V 14 A 50 uA - 40 C + 175 C STPSC Tube
STMicroelectronics Schttkyho diody na bázi SiC 600V Power Schottky 8A 10 nC No Reverse
Technické informace
Termín dodání, pokud není na skladě 25 týdny/týdnů
Minimum: 1 000
Vícenásobek: 1 000
: 1 000

Through Hole D2PAK Single 8 A 600 V 1.7 V 30 A 100 uA - 40 C + 175 C STPSC Reel