Zdá se, že ve svém prohlížeči máte vypnutý JavaScript. Některé funkce na této stránce nebudou fungovat, dokud se nepřihlásíte.

Vidíte nějakou chybu?

TK8A50D(STA4,Q,M)

Name: Toshiba TK8A50D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK8A50DSTA4QM
Price: 43.17 CZK
Availability: InStock

Obrázky jsou pouze pro referenční účely
Viz specifikace produktu

Č. Mouser:

757-TK8A50DSTA4QM

Výr. Č.:

TK8A50D(STA4,Q,M)

Výrobce:

Toshiba

Popis:

Tranzistory MOSFET N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

Technické informace:

TK8A50D(STA4,Q,M) Technické informace (PDF)

Model ECAD:

Stáhněte si zdarma Library Loader, kterým převedete tento soubor na formát požadovaný vaším nástrojem ECAD. Více informací o modelu ECAD.

Více informací

Další informace o Toshiba TK8A50D(STA4,Q,M)

Na skladě: 337

Na skladě:: 337

Lze odeslat ihned

Došlo k neočekávané chybě. Zkuste to prosím znovu později.
Na objednávce:: 250

Očekávané 16.03.2026 .
Dodací lhůta výrobce: 32

týdny/týdnů Odhadovaná doba výroby v závodě pro větší množství než je zobrazeno.

Zadejte množství:

Minimum: 1 Vícenásobné: 1

Jednotková cena:

-,-- Kč

Rozš. cena:

-,-- Kč

Předp. Clo:

Stanovení ceny (CZK)

Množství	Jednotková cena	Rozš. cena
	43,17 Kč	43,17 Kč
	21,90 Kč	219,00 Kč
	21,27 Kč	2 127,00 Kč
	16,76 Kč	8 380,00 Kč
	13,22 Kč	13 220,00 Kč
	13,17 Kč	32 925,00 Kč
	13,12 Kč	65 600,00 Kč

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Vlastnost produktu	Hodnota vlastnosti	Zvolit atribut
Výrobce:	Toshiba
Kategorie produktu:	Tranzistory MOSFET
RoHS::
Technologie:	Si
Styl montáže:	Through Hole
Obal / Pouzdro:	TO-220-3
Polarita tranzistoru:	N-Channel
Počet kanálů :	1 Channel
Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem:	500 V
Id – trvalý proud kolektoru:	8 A
Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem:	850 mOhms
Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem:	2 V
Qg – náboj báze:	16 nC
Minimální provozní teplota:	- 55 C
Maximální provozní teplota:	+ 150 C
Pd – chlazený výkon:	40 W
Kanálový režim:	Enhancement
Obchodní označení:	MOSVII
Balení:	Tube
Značka :	Toshiba
Konfigurace:	Single
Doba poklesu:	12 ns
Strmost ve vodivém směru, min.:	1 S
Typ produktu:	MOSFETs
Doba nárůstu :	20 ns
Série:	TK8A50D
Množství v balení od výrobce:	50
Podkategorie:	Transistors
Typ tranzistoru:	1 N-Channel
Typický čas prodlení vypnutí :	60 ns
Typická prodleva sepnutí:	40 ns
Jednotková váha:	2 g

Nalezené produkty:

Chcete-li zobrazit podobné produkty, zaškrtněte alespoň jedno pole

Chcete-li v této kategorii zobrazit podobné produkty, zaškrtněte nahoře alespoň jedno pole.

Vybrané atributy: 0

Filtr dokumentů:

Technické informace

TK8A50D(STA4,Q,M) Technické informace (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Tato funkce vyžaduje povolení JavaScriptu.

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.